SİLİKON ALAŞIMLI (DİFFUSED) GÜÇ TRANSSİSTÖRLERİ

' UDK : 621.375.4.

Silikon Alaşımlı (Diffuse i) Güç Tronssistörleri

Çeviren Ş. Taner ABIBUBNU

E. K. L

Son yıllarda translstörler elektronik Mü­ hendisleri tarafından süratle geliştirlmişlerdir. Bunları yeni sahalara .. uygulayarak devrelerin güç taşıma kapasitelerinde önemli bir azalma mümkün kılınmıştır. Yazar yüksek güçlü tran­ sistor çalışması için esas istekleri ve yapıma et­ ki eden faktörleri açıklamaktadır.

Bu yazının başlığı güçten bahseden bir Mü­ hendisi on, yüz kilowatt değerlerini aklına getir­ meye sevkedebilir. Başlangıçta güç transistoru terimi sadece kollektör irtibatında 100 MW. lık bir sarfiyatı olan devre için uygulanabilir. Ra­ kamın 1 W.,a eriştiği 6 veya 7 sene evvel bu gerçekten bir güç olarak gözönüne alındı. Fa­ kat bilgi ve teknik ilerlemekte ve bugün orta ve yüksek güç transistörleri onlar, hatta yüz­ lerce watlık kollektör kayıpları İçin elverişli ol­ maktadır.

Bu yazı kısaca yüksek güç çalışması için is­ tekleri açıklamakta ve transistor yapısına etki eden faktörleri de ele almaktadır.

Şekil 1 bir n-p-n transistorunun kesitini gös­ termektedir.. Bu baz olarak bilinen, biri emitör diğeri kollektör olan iki n tipi tabaka arasına yerleştirilmiş çok ince bir p. tabakasından iba­ rettir. Emitör bağ bağlantısına doğru yönde ge­ rilim uygulanırsa elektronlar emitörden baz ta­ bakasına sokulur. îyi yapılmış bir transistörde belki de bu elektronların % 98'i baz tabakasın­ dan ters bağlanmış kolektöre geçecekler ve kollektör veya çıkış akımını meydana getirecek­ lerdir. Kollektöre erişemiyen elektronlar baz ta­ bakasındaki deliklerle birleşecekler ve baz akı­ mını meydana getireceklerdir.

SeMl : 1

Eleitrik Mühendisliği 103

Şayet dış devre, emitör giriş ve çıkış için normal olacak şekilde tertiplenirse baza giriş akımı kollektör devresindeki çıkış akımının kü­ çük bir kesri olacak ve devre akımı kazancım gösterecektir. Daha ileri olarak emitör bağlan­ tısı doğru veya düşük empedans yönünde yapı­ lırsa ve kollektör de ters veya yüksek empe* dand yönünde bağlanırsa ek olarak voltaj ka­ zancına sahiboluruz.

Yapım Esasları:

Yüksek güç çıkışı için transistor yüksek kol­ lektör voltajında ve yüksek kollektör akımında çalışacak şekilde yapılmalıdır. Şayet yüksek güç çıkışıyla birlikte yüksek güç kazancı istenirse transistor yüksek bir akım kazancına, duşuk bir baz rezistansına sahip olmalıdır. Dahili güç kayıpları, birçok transistor tipinde kollektör bağlantısıyla seri olan, irtibat (built-in) rezistan­ sın da da meydana gelir ve bu rezistans müm­ kün olduğu kadar küçük tutulmalıdır. Bu esasla­ ra ilâve olarak birçok uygulamalar için yüksek frekans bölgesi istenir. Transistorun çıkış güç değeri sadece onun elektriki özelliklerine değil fakat termik karakteristiklerine de bağlıdır. Ve bunlar imalâtta gözönüne alınmalıdır.

Termik Karakteristikler :

Termik değerler aşağıdaki faktörlere bağlıdır :

a) Maksimum çalışma bağlantı sıcaklığı, Tj, Bu, yarı iletkenin karakterine bağlıdır ve mümkün- olduğu kadar yüksek tutulmalıdır.

b) Kollektör bağlantısı ve bakır düğmenin normal dış yüzü arasındaki termik rezistans -i. Bu transistorun yapısına bağlıdır ve mümkün olduğu kadar küçük tutulmalıdır.

c) Bakır düğme ve çevre arasındaki termik rezistans 0h. Bu, şerit (fin) büyüklüğüne, tut­ turma metoduna v.s.'ye bağlıdır.

d) Çevre sıcaklığı Ta.

Açık olarak, termik özelliklerin sadece ilk iki­ si transistorun karakteristikleridir ve elektriki karakteristiklere bağlı olarak, onu belirtmek için kullanılmalıdır.

İçerde sarf edilen maksimum güç 1 denklemiyle' verilir :

T , — T.

il) 0İ Tb sıeaklığıdfr, Şayet bu normal oda sıcaklığı 25 'C'du alınırsa, * Sonsuz ısı düşmesi* denilen değere erbjJrla, örneğin, aşağıda anlatı in n tranOtstfir İçin IJU r a k a m t a k r i b e n l,rjll W Air. Fu.](.rıL bu Lir devre Mühendisi İçin normal olarak kabul edlletıılyeeek bir yari olan su soğutmacının lilzumlu olduğu onlanuna gelir. Pratikte transis­ tor; bakır düzine alçaklığının çevre sıcaklığın­ dan yültsek plaoağı ve 1 denkleminle 2 denklem] yt-kllnde yazılmauı İcabedeceği bir şerit tabaka üzerine yerjıigtirülr.

Tj - T . 121

6ı H-flı, Tlblk bir şerit için bu, musaadû edilir sarfi­ yatı ideal durumun takriben l / l Unu düşürür, Statıilite şartları sınırları arttırır. Ve gerili­ minde: ve. la kollektdr akımında çakşun bir tran­ sistor flayet irtibat aıcaklığı AT kadar arttırılır­ ım dahili aarfiYnUakl arLtrm cakbkla doyurma olunu Ico'ın değişikliğine bağ­ lıdır. Bu yüzden denkieın (5) özel bir bağlantı alçaklığında maksimum çalıgma voltajım sınırlar veya emin bir şekilde kullanılacak bağlantı VO çevre termik rezistansları arasında bir maki'Lmum değer tnyin udeblllr.

Silikon, g-ermanyumdan daha yükaek bir ener­ ji açıklığına sahip Ur, Çünkü- bu silikon devreler jjermanyunidan yapılanlara nazaran daha yüksek bağlantı sı çaldıklarında çaiışabl lirler. Denklem 2'den verilen bir kapBülieme ve soğutma eiatend için silikon transitliklerin germanyum traneistörlorden daha yükaek bir gilç sarfiyatında çalı­ şabileceği, sS^C'iik bir çevrede çalışırlten en

azından Z/l gibi bir avantaja aahib olduğu ye çevre artarım dalıu ı'riiîla artacağı aıdaınlır.

Klektrikl kttjn&toristlhlor t

Akım kazanuı :

TranaİHtürün n akımı kazancı aşağıdaki denk' Jemdekl uaİLİlde y p va „* faktörlerinin bir sunu­ cu olabil ir­ er = t>. P- a* <Û)

Doğru emiter baklan ti sındak! akını hor iki yüivı gönderilen taşıyıcı hırın azınlığından ibaret­ tir ve aadeee eınllörden buza sökülenler kolluk­ tur alıımı olarak sürünebilir. BntltŞr vnrlml emltörden çıkan azınlık azınlık akınımın toplam akınıma oranıdır,

1 + Ob W İT)

O", L r Burada W ; baz genişliği

L* : E mi türdeki azınlık taşıyıcılara uifııyycn uzunluğu.

Ob vc Gt ' ^ a z vi Glllltör bölgelerinin ilet­ kenlikleri ; Enıitor ve baz. iletkenlikleri oram mümkün olduğu kadar yükaek olmalıdır. Pratik­ te bu, mü ı ııkttu elan en yüksek eniktir iletken] iği demektir.

Baza sokulan azınbk lasıyıeılurmm bazım tekrardan bir araya gelmeye (rotombination) kaybolacaklar ve baz akımı olarak sürilneceklordir. Kollektore eriyen azınlık taşıyıcıları akımıruu cmitörü. terkcdcnlere oranı tasıma (Transport) faktörü olarak bilinir ve ynltluşık olarak

WÎ

1—

(S) denklcmiyle verilir.

2DT

D : Dıflizyon Sabiti

-T : Baz BÖlgeuinde azınlık taşıyıcıların üırırü.

Bu denklem kaçak gjrııdy onlar in yü/,ı"Jrdçn meydana gelen herlıanglblr alan etkinini ve yüxey rekembiua^you etkilerini UımeJ eder. Bu denklemde dikkat edilecek nokta ^j'nLtı artan dllüzyon sabitiyle artmasıdır,

o* KoLektBr çoğaltma (ıııultlpllcatİDn) faktö­ rü iki bileşene ealıiptir : biri yüksek kollektbr voltajlarında çoğaltma etkilerini gönUnûnfl a!an, dlgcrl yülesek kollektor altı mi arında zararlı ola­ bilen farklı çoğaltma etkisi. Bu kollektor bağlan­ tısı anlatılırken ^'özününe abnacaklır,

Şekil 3 enütifr akımınm fonkaiyonU olarak akım kazancının değişmesini göstermektedir.

Elefctrlk MühulHlialigL 103

Srm'för akımı Ig

Şekil: 2

Başlangıçta kazanç dik bir şekilde yükselir. Bu, emitör akımı arttırıldığında zit işaretli taşı­ yıcıların yükü notralize etmek maksadıyla baz bölgesine taşınmalarındandır. Böylece kollektöre sokulan taşıyıcıların akışına yardım eden bir elektrik alanı üretilir.

Bu, difüzyon sabitini arttırır; ayrıca emitörün etrafındaki yüzey rekombinasyonu azaltılır ve her iki taşıma faktöründe bir artmayı sağlıyarak akım kazancımnda yükselmeye sebep olur.

Baz bölgesindeki sokulmuş taşıyıcı sayısı da­ ha fazla artarsa yük notralizasyonunu temin için çoğunluk taşıyıcıların devamlı girişinden dolayı başka bir etki başlar.

Bunlar baz bölgesinde derhal iletkenliği azalt­ ma etkisine sahiptir ki bu da gösterildiği gibi emitör verimini azaltır ve devrenin toplam akım kazancı düşmeye başlar. Bu düşüş kazanç fayda­ sız olacak bir değere veya düşme değeri çok yük­ sek olana, kadar devam eder. Bu durumda kötü bir dalga distorsiyonu meydana gelir. Bu yüzden transistoru emitör akım yoğunluğu çok yüksek olmıyacak şekilde yapmak lüzumludur ve bu emi­ tör sahasını açık olarak kararlaştırır.

Baz bölgesindeki taşıyıcıların difizyonu şu

qnD

•denklemle verilir. J =

(9)

W

J = Emitör akımı yoğunluğu

q = Elektronik yük. n = Baz bölgesinin emitör tarafında, sokulan azınlık taşıyıcıların konsantrasyonu.

Buradan; Emitör baz bağlantısında bazdaki taşı­ yıcı yoğunluğu, şayet daha İnce baz tabakaları kullanılırsa, verilen bir akım için daha az ola­ caktır sonucu çıkar.

Baz genişliği azaltıldığında düşük akım kaznnnının artması yüksek kollektör akımlarına doğru kayarak ve azalma daha düşük olacaktır.

' Daha İleri olarak, denklem 7 ve 8'den emitör vtrimİEİu genel seviyesi ve taşıma faktörü yük­ sele celi böylece toplam akım kazancı daha yük­ sük bir değere ulaşacaktır. Bu esaslardan dar *KL= genişliklerinin istendiği sonuca çıkarılır.

Eleütrlt Mühendisliği 103

Emitör alanı özel kaideleri gözlemeksizin arttmlmıyabilir. 5 A'lık bir kollektör akımında ça­ lışan bir transistor 250 mA'lik veya daha fazla bir baz akımına sahip olabilir ve voltaj gradyani baz tabakasında bulunur. Sonuç olarak emitör bağlantısındaki doğru durum (forward bias) emi­ tör yüzeyinde değişecek ve emitör akımı şekil 1 de gösterildiği gibi kenarlara doğru toplanacak­ tır. Bu; şimdi konuştuğumuz, emitör veriminde bir azalmayla birlikte yüksek lokalize olmuş akımlara işaret eder.

Bu zorluk emitörü dar bir çubuk şeklinde yapmak ve baz kontağını, onun uzun kenarlarının her iki yanına paralel olarak yerleştirmekle ye­ nilir. Alternatif olarak, her iki yanma baz kontak halkası konmuş dar bir halka şeklinde yapılabi­ lir.

Voltaj değeri:

Mümkün olan en yüksek kollektör volta] de­ ğeri için çalışmada çeşitli zıt İstekler bulunmak­ tadır. önce delinme (punchthrough) olayı gözönüne alınmalıdır. Şekil l'de noktalı çizgilerle gös­ terilmiş kollektör tüketin (Depletion) tabakası­ nın genişliği kollektör voltajıyle artar ve tabaka baz bölgesine doğru genişleyip emitöre eriştiğin­ de, emitör kollektör kısa devresini meydana ge­ tirir. Bu etki resersibildir. Fakat kollektör vol­ tajının üst sınırında olabilir.

Çığ çoğalması önce söylediğimiz a * n l n yüksek voltaj bileşenidir. Kollektör bağlantısı arasında­ ki voltaj arttığında çarpışma vasıtaslyle taşıyıcı­ lar elektron-dellk çiftlerini meydana getirmek için tüketim tabakasında uygun enerji kazanır ve çoğaltma İşlemi tamamlanır. Bu, gazlardaki Tewnsend deşarjına benzer. Kollektör akımı amperllk bir denklemle verilen bir M faktörüyle çar­ pılır.

VB = Kollektör İrtibatının aşağı bükülme (breakdown) voltajı

yc = Uygulanan kollektör voltajı.

M = -=

(10)

' *~ffî '-

Kollektör voltajıyle normal baz akım kazan­ cının değişimi denklem 11 ve 12 ile verilmektedir.

t0 «= y, p çoğaltma etkileri olmaksızın a de­ ğeri.

1 - k)

Tagıma faktörü p kollektör voltajıyle artabilir. Çünkü eff. baz genişliği, kollektör tüketim taba­ kası genişlediğinde daralacak ve. rekambinasyonla daha az taşıyıcılar kaybolacaktır. .Enjeksi­ yon verimi y da azalan baz genişliğiyle denklem (7)'de gösterildiği gibi artacaktır.

a

a' =

:

(13)

1—a

=

(14)

1 — «o M

Alışılmış emitör akım kazancı şü denklemlerle (13 - 14) verilir. Açık olarak, görülür ki denklem (14) de a0 M = 1 olduğunda a' sonsuz ve tran­ sistor normal emitör bağlantısında instabil olur.

Bu sebepten a0 M daima birden küçük olmalıdır. Bu şart maksimum çalışma kollektör voltajına bir üst sınır eklemektedir. Bu voltaj bağlantı aşağı bükülme voltajından düşüktür.

Yüksek kollektör pşağı bükülme voltajı temin etmek için kollektörün omik değeri yüksek ya­ pılmalıdır. Bunu yapınca en iyi redresörlerle mu­ kayese edilebilen kollektör bağlantısı aşağı bü­ külme voltajları elde edilebilir. .Fakat, kollektör omik değerindeki iki smır, karakteristiğin ucun­ daki yüksek akımda yükselebilir.

ilk yerde, başka bir kollektör çoğalma olayı bazı şartlar altında zararlı olabilir. Bu „* nin ikinci bileşenidir.

Çoğu taşıyıcı hareket ettiren kollektördeki alan, azınlık taşıyıcıların akışını arttırır ki bu termik olarâk-bağlantıya doğru- kollektörde üre­ tilir. Bu alan emitör akımının artmasıyle artar. Yüksek sıcaklıklarda, yüksek omik değerli ma­ teryalde bu' ek akım takdir edilebilir. Böylece toplam kollektör akımının emitör akımından da­ ha büyük olmasına, ve normal emitör bağlantısın­ da instabiliteye yol açar. Bu etki, şayet 150 °C lik bir maksimum çalışma sıcaklığı empoze edi-. liıse kollektör materyalinin omik değerini- sınırla­ maz fakat yüksek sıcaklıklarda önemli olabilir. Kollektör omik değerinde daha fazla şiddetli sı­ nırlama şu gerçekten ortaya çıkar. Kollektör ma­ teryalinin rezistansı kollektör bağlantısına seri olarak bir içi rezistans gösterir. Bu yüzden şal­ ter uygulamalarında kapama durumunda isten­ meyen bir gerilim düşümü meydana gelir.

Bu ayrıca düşük dirençli materyal .Jcullanılmasma rağmen içindeki güç harcamasının sonu­ cu olarak düşük akim değerine de sebep olabilir.

(5 — Amper) Transistoru :

Rugby'de 100 W veya fazla kollektör sarfi­ yatında olan 5 amper transistoru .geliştirilmiştir.

Alaşımlı bir yapıda çalışmak kararlaştırılmış ve böylece daha geniş sahalara, daha büyük güçle­ re doğru aynı zamanda iyi bir frekans bölgesiyle elastikiyet sağlanmıştır.

Transistor elemanının gerek yapısı şekil 3'de gösterilmiştir. Bu, kollektör bağlantısını, n tipi kollektörü, P tipi baz tabakasını ve iki dar n tipi emitör şeridini göstermektedir. Emitörler sı­ ralı bir şekilde biraraya bağlanırlar. İki emitörü aynı toplam uzunlukta tek bir taneden yapmak­ tansa iki emitörü yukarıdaki şekilde yapmak da­ hî» iyidir.

mobbdf d-'sk

Şekil : 3

Transistor elemanı aşağıdaki gibi yapılır :

a) —Bir n tipi ince tabaka bindirilir ve asit­ le (veya başka bir yolla) istenilen büyüklüğe ge­ tirilir.

Maksimum ısı transferi ve minimum seri kol­ lektör rezistansı için bu mümkün olduğu kadar ince olmalıdır.

b) Bütün yüzey 1000°C de bir oksijen akı: mında bilinen kalınlıkta bir oksid tabakasıyla

oksitlenir.

c) Sonra emitörlerin teşkil edilmesi istenen kısımlardan oksid kaldırılır. (Şekil 4'e bak).

Silikon iaboka Oksıdiıa. Şekil: 4

Oksit kısm? olarak kaldırılmış

d) P-Tipi eleman olan galliyum-bazı tabaka­ sını meydana getirmek için-buhar durumunda so­ kulur. Galliyum, okside . işler ve ince tabakanın

: bütün yüzeyinde bir P tipi tabaka meydana geti­ rir. •..;„••.> •• :• : . ;•' "... .ı.'.: •''•..'.' ' . - • ; : "•' •'

Elektrik Mühendisliği 103

M U LTISC RIPT

ÖLÇME VE KAYIT İŞLERİNİ AYNI ANDA YAPABİLECEK KAPASİTE OLUP MÜREKKEPSİZ ÇALIŞIR.

Teknik Özellikleri, ' " •:• 'M

Sürat

2 0 - 2 4 0 mm/m » r -

DCVolt 6 0 Ö V - 12 mV

ACVolt 600V - 6 VÖ4 M

DCAmper 6 A — 0,6 mA A

A C •> 6 A - 0,2 mA m

T!?*" :

\-;_J

C.P.

'GOERZ' ELECTRO

CP. GOERZ ELECTRO A. G.

• I M ı l b T T . p . ı . i ı . f T I 1 1 1 »1

:I::R::::α::::::;;I::İ

::::::::»:::::::£::£:::::::::::::::;:;::;:::::.

••"Ht.llltlllıı>....^|

•»

!•!!!!! rTvüüj

'4 - • - 1 I fili n-PBBB-l

İİiİİİİ < - .1 • • » »••••••A

11ITII.»|||||||||ı|ı||||| 1IIII..II|||||||||t|t|H

T»

I.»»il

"••M-UI1«»41IIIIIIt..ııIIııı

"M^ffMI

Illll»*

«"

"«-

î V^) ^ •

' I / O . t •; • '<.•; J

• . • ' ; . . ' >i •.";.••:'." V

•* .. •';* J A V 1 [• •:' '• - ı,- v ; .V V0- CM ., r . / v . %•

.;.••••' Türkiye Mümessilliği: M. Süheyl Erkman (Y. Müh.)

Necatibey Cad. 207 Galata - İSTANBUL Tel. : 44 15 46

Telgraf ı INGMESÜER - İSTANBUL

"i

• £*-<>'-x:\

•• .

• • ».••- ••••• >'.. ...w- .ı':,*-:;:u''fVwaf:.s.s;

.

^ %.\\\\*AV

;5 Sw

HERİK2 BtNABI

Türkiye Daimi Mümessilliği

Ericsson TLrk Ticaret Ltd. Şti.

Ankara

İstanbul

İzmir

ij

Tel : 12 31 70 Tel : 22 81 02 Tel : 37823

tt

Elcfctrlk MühandİBİlftt 103

[ f i Ericsson Telekomünikasyon sahasında olduğu kadar Karayolları Trafik ve Demiryolları Sinyalizasyon sahasında da dünya önderidir "

UM E R İ C S S O N S S I G N A L A K T I E B O L AG

S T O C K H O L M 5 W£ D E N

.,7

Y 4 •--'

Elektrik 7Jühonûlal1frL Iu3

aa

e) n Üpl (eleman) olan fosfor;- ernltürierl meydana getirmek İçin sokulur,- fakat bu, okflld. tabakasına İşleyemez. Bu vasıtayla cmltürlerin trgekkülüııü Çpeeted anlatılan prensiplerle İlgili olurk k ESI Un, m ak mümkündür (Soku 5).

h) Eleman bir molibden diake a t ı n l a lehim­ lenir ve buz ve enıltür sahalarına altın teller vasıtnslylc kontaMor yapılır. Bu. komple bir transsistürün kesitim güsteren Şekil 8'de gbriiîmeltlüdir,

<VJ . . . - « v ı , -

Dlfüzyoii İşlenil Tosfor gaillyumdan daim yük­ selt bir keıiüan t r e y o n d a Igieyecek şekilde koutrol edilir: Bu (Şekil fi) da gösterilmektedir. Dolu çizgiler işlemi? eleman dağılımım, noktalı çizgi­ ler kristalin yapısında orijinal olarak butunun dtmür (ele mam) ve dolu renkli çizgi meydana gelen net eleman dagdımırü gösterir,

- -şaStş^n (P <şs. tttsnmı)

.... . Normal olarak l2(kVC'de Plan difuzyön peri­ yotları azınlık taşıyıcılarının ömrünü, şiddetli ala­ rak azaltır. f) Oksld tabakası kaldı rılı ir ve balım mm bir örtü yüzeye kaplanır­ la) Bir tepe meydana getirmek İçin ince ta­ baka alatkmir. Eu, a!alımlı tabakaların İstenme­ yen kj alınlarını kaldım: ve kullektör bağıntısını tarif eder. Bu İşlemler şekil 7'de güs.tcrilmiş.lir. -

Şıskil: T

UkUU-t/UU^^

***><«*

ı) Sün olarak ünite kafaya lehimlenir altın teller • harici uçlara eklenir ve ünite muhafaza içine kamd u r-

Glrlş gücünün bas rezistansında bancandı^ı ve maksimum güç kazancı için bunun mümkün ol.duğu kadar küçük olması İcabettlgl gösterilmiş­ tir Üaz rezistansıma bir kısım cmitör ve kollekcör arasındaki baz tabakasında, bulunur. Ve cîıdttirün yani ve baz kontağı anısında. ayrılır, ikin­ ci bllcgen emitürüıı bir inç'in birkaç blndcblrine baz kontak tellerini yariejjtlrv.rek mümkün oldu­ ğu kadar küçük tutulur. Emi tür şerl ileri 0,020 İncil genbjüğlrKİcdlr.

KnmİEtçrlstlkler ı

ŞehJl p bazı kollcktöı- karakteristikleri gös­ termektedir. Bunlar bas akımının çeşitli değerle­ ri İçin kolleklilr-emitör voltajı ile kolleklör akımı arasıııdnlıl- eğrilerdir, Vllkspk akım ucunda ka­ ra kturistiklei'Jn blraraya tupkuımaaı bu bölgede akım kazancının diişjııealni gösterir. Bu eğriler aynı zamanda Ittıllektöı* doyma rezistansının var­ ilimi ve bu çizginin altındaki bülgedt çalınmanın imkansız olduğunu da güstnrir. Eu yüzden harennıın gücü belirtir. K firak ter isliğin yüksek voltaj ucunda çıg etkilerinin Önemli olduğu görülebilir. Bu özel transistordu baz açık devresi ngagı bükü­ lüş voltajı Ipü V. olnınsına rağmen bu etkiler JD(3 Volt'un altında bir yunuı.gaklık. meydana getirir­ ler. ;Irtibat va bakır düğme arasındaltl termik rezistans yaklaşık ohırnk 0.8 C"/W. tir. Dış c£rl 120 W- yerindedir ve düğme sıeaklıfîı takriben 55°C olursa müsaade edilebilir. Maksimum sarfi­ yatı gösterir ünite tipik bir angutma levpaaına tutturultiugündia, (6 in, sqııara of 10 a. w. g.) alinıinyınn (e£ri 11 kumda fırınlanmış lsvha50'C'tlk bir çevrede yaklaşık olarak 33 W, luk

ÎClettcU-'MUnendiBll&l ıpg

bir sarfiyat mümkündür. (Şekil 9). A sınıfı çalı­ şırken yükte takriben 12 W, lık güç elde edilir. Ü Himf] aartlnrı altında aynı levhada lift-6(1 IVvorlr, Dl£er İki egrl 50*C'lık çevrede (8'ln= (Equorel'Jllı levhada. ki ıjartl&n gösterir. Takriben tr, w. lık bir sarfiyat verir (cgri 21.

beklenen bir Uneer'llk fikri verir. BEtşlanp-ıctrikl ]0Û mnı kadar olan yükselme harfe 1 - 5 amper arasında efîrlnln be m ip n hemen lineer olduğu gö­ rülebilir.

^^>*^

*tr' rov

.o

©

'••

-i

Normal enıltur d. a, kaşanemin orta kazançlı Mr iln.llc İçin kolluktur akımıyla deglslml i.fikD 10'da görülmektedir. Bu, S amrıerlik maksimum değerde kazancının takriben 3 db aşağı olduğunu gösterir.

,,__

v »l-'

•s

T1

tcıftbtjır ai.T— <-r

>ı

*?

:--

frtftil İ Ü

Deri bir transfer karakteristiği îfekll İ l d e gösterilmiştir, Baz cmltur voltajının bir fonksiyo­ nu olarak kolluklar akınınım bu e&ri*l transis­ toru dü^ük empedunslı bir kEiynakla İrenlerken

E-eKtrtfc Mühenttuslltt HM

MS

Şchd: il

Bu traıiBİfltürlerJr 1,

1"

— 2.

amanda

bir baz genişliğine siihip otduklan gösterilmiştir.

Ve bu teorik olarak UO-Su Mc/atı Bölgesinde

yüksek bir alfa kesim rrakansını ifade eder. Pra­

tikte bııst rezlatanaı koltektör kanoslUnsi £İbl di­

ğer faktörler bu rakamı 10 Mc/a'yc düşürmek

için birleştirmektedirler.

Uygulama :

Yüksek frekans bölgesi, yllkfick güç çıkı Al bu transistor terin geniş bir eahadn uygulan carı klan filerini uyandırır. Alçak rreknnlnrda yüksek duynriık (Hlglı Fldelltyl aes £üc aınplllerl İçin uy­ gundurlar ve aynca pervo HİHLernlerdo de A sını­ fı amplHer olarak genlg bir uygulama bulacak­ lardır. Daha Yüksek frekanslarda mümkün olon bir uy £1 ilanın indükslycn ısıtmalıdır. B KI m fi fnjflpul imfîlı iki trııııslstür 100 ivaLt yeya duba daim fazla güç verir. Objarın frekans böle.e<Unde lusa yükselme limanları gösterir, Şöylekl : Dun­ lar yüksek huşların istendiği yerlerde faydalı açma-k;ıp«ıııa (Swltelı) temin ^derler, Kusa yitkseJme zamanlan isteyen daha Heri uygulamalar darbe şekillendirici cdvreler ve d. &-d, a koııverllGorlerldir.

A_kla gelen dlger uygulamalar İse voltaj ve akım atablllîdr devreleri ve aynca yilkuek çevre: steakiıklarındalılleraUr- ü m t £ i n : ıüO'Cllk bir çevre sıcaklığında kuvvetli bir.soğutma olmaksı­ zın llplk bir levha, üıcrlcde takriben 15 W. tık bir knllı-ktör sarfiyatına erişilebilir, Böyle y.v-

Sö

reiera; uçaklarda çok rasUciurj ki böylece trsaslsttirler uygulama. yeri bulmaktadırlar,

Geleeok e^llînıeler:

& veya 10 sene evvel bir güç transfstörd koltüktordc 1 w mertebesinde! bir pile, sarfiyatına sahipti Fakat tekniğin ve ycııl metodlunn geliş­ mesiyle üu güç. bUytik derecede arttırılmıştır. ü c ll^me devam çimektedir, Vıi glmdl 50 hatta 100 tunjerlik translstürlcr yapılmaktadır, Eaag sof­ ilik gımLıj bir sabanın Herinde unlform emitor ve kûKektör bağlantı (nrtüctenı) karakteristikleri elde etmektedir, Eu silikonda yüksek Jmuteli bir

yapıya ve difuzyon İşleminde yüksek bir kontrol derecesine İhtiyaç var demektir.

Son bir kag yd İçinde transistorlerin frekans bülgesl liLziı bir -30 ki ide arimı.g ve bugün IÛUG Me/s germanyum üniteleri deneysel olarak ya­ pılmış fakat kollekttir kayıpları uW'a sınır! anm Ey Lir,

Genel olarak frekans değerini arttırmaktan vazgegllniçlidir. FnkuL hisli Ueri&me vo gelişme devam etmekte ve bundun bir kaç Heıie evvel mümkün e-tmam düşünülmeyen güe; ve rrekona blrleylmi bugün basarılmakLadır,

=i!i=ııı=ı ıı=ııı=ıiı=tı ı=m=iiE±±ru=ın=ıiF=.ı II^EI ı==ın=ıiı=rı l=ııl=ııı==rii=iEi=ıii==[iı==ııı:sNi==ıı ı== ıiı=ııis= IIE=II I^-Ü- Eiır==-rıı=ıiı =ş rlı^ıriB=ı J I = .

iIIII

0!

ÜYELERİMİZİN DİKKATİNE;

t

Türkiye BUİmpel ve Teknik Arattırma Kurumu, Türkiye'deki araştırma potaıiylyellni ortaya koyacak bir envater çalınması yapmaktadır. Bu maksatla Odamız

metunıplıınndan araştırına faaliyeti ile meşgul olanların İHİmlerlrıln eu kına şamamla «uruma büdli'Jlmeslnl istemektedir.

Kurumun Araştırma, ile kasdettlgl çalışma yekti hakkında daha "fasla bilgi ko­

İt]

rumdan veya Odamızdan (emin «ditebilir, Eğer böyle bir çalışmanız varsa. İsim ya

zz

yatılma yerinizi yazıyla veya telefonla Odaya blldlrmenİKİ rica ederiz.

uı

YÖNETİM KUKÜLll

İi

Ilîi=IJl=ll lEHlElHEJHEI 11 HEM = 111=111=111=111=111= 111=1 IIEIIIE lif=111=11 l=!l|=lll=m=M El 11=111=111 = IIISIİ1= |lt=l N=IN=IIIEII 1= 111=1 IJ=I| 1 = .•

İÜ

$.

Yönetim kurulumuz çeşitli komisyonlarda çalışmak için üyelerimizin

|-

ilgilerini ve müracaatlarını beklemektedir, Devamlı komisyonlarımla sun-

lardır : Yayın, Sosyal meslekî mevzuat Bunlar dtgında kurulacak komîs-

£.

yanlan önceden bilmeğe genellikle imkân olamamaktadır.

J

Btı sebeple, üyelerimiz bu müracaatlarında çalışmak istedikleri konu-

vu bildirmelidirler.

X

*•:•:•:*;•: ; * : - -:•:-: . » . < * : < •:«.•*•:#;-- ;:-:

Yönetim Kurulu

•:*:-*•••:+:• .••:#: • . ; * : • : •;*•;-, - » : • K •::*•;-•--;*•:< : - ; « . : - . [ * : • J H K < :•;*•:-.•;•:*:•: -:%Y- •:*:• ı

SG

Elektrik Mühendisi] 61 103