YÜKSEK GERİLİM GÜÇ KAYNAKLAN VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ

Yüksek Gerilim Güç Kaynaklan ve Gerçekleştirilmeleri

Yazan : Toygun BAŞOL Çekmece Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi

ÖZET

Pratikte kullanılan cinaslar ile nükller fizikte kuL ianılan detektörlerin beslenmesini sağlayan yüksek gerilim güç kaynaklarının özellikleri ile fotomültip likatör tüplerinin beslenmesi için gerçekleştirilmiş olan bir tyüksek gerilim güç katmağının tasarım lanması ve sorunları aşağıda tartışılmıştır.

SUMMARY

The features of high voltage poıoer sources, used to supply some electronic instruments and nuclear radiation detectors is reviewed. Design and problems of a high voltage poıoer source for pho tomultiplicator tubes is discussed beloto.

OtBİŞ

Yüksek gerilim güç kaynaklarının pratikte çeşitli kullanılma alanları mevcuttur; bunların içinde katot ışınlı tüplerin hızlandırılmasını, rönt gen ısınû devreleri, radyo verici sistemlerini, TV, radar devrelerini ve nihayet nükleer olayların açıklığa kavuşmasını sağlayan detektörleri say mak olanaklıdır.

Gerçekleştirilmiş olan yüksek gerilim güç kay nağı devresi her ne kadar nükleer detektör sis temlerinde kullanılabtlirse de, devrenin blok di yagramı değiştirilmeden yukarıda sıralanan kul lanılma alanlarının herblrinde de ayrı ayrı uy gulanabilir.

DETEKTÖRLER VE YÜKSEK GERİLİM KAYNAKLARI a, fi, y ve diğer iyonize edici nükleer ışınların tanımlanmasında kullanılan detektör ttüpleirin den ilki lyonizasyon odalarıdır. Belirli bir basınç altında İçi hava dolu bir silindlrlk kapasiteden İbaret olan bu odaların elektrotları arasına uy gulanan doğru gerilimin, rekombinizasyon olayı na [IJ meydan vermeyecek değerde oLması ve düzgünlüğünün çok İyi olması gerekir. Böylece elektrotlar arasında oluşan dural elektrik ala nı, İyon odasının dışarıdan bir ışın ile ayrılması sonucu içerideki gazın iyonize olması ile oluşan pozitif ve negatif yüklerin elektrotlar tarafından çekilmesini sağlar. Elektrotlarda toplanan iyon ları herhangi bir galvanometreden geçirerek ve ya elektrometre aracılığı ile radyasyon (ışınla ma) şiddeti veya mlktan hakkında kesin bir bil gi edinmemiz olanaklıdır. Gerçekten elektrotlara uygulanan yüksek gerilim üzerinde dalgalanma olmaması gerekir. Aksi takdirde meydana gelen

Elektrtk Mühendisliği 182

pozitif ve negatif yüklerin gerçek değerini oku mak olanaksızlaşacaktır. Bu tip detektörlerden çekilen akün değeri piko amperlerden mikro amperlere değin değişir.

îklnci detektör tipi «orantılı sayıcılar» yahut «gaz doldurulmuş sayıcılar» dır [1]. Bu tip de tektörlerin yüksek gerilim kaynaklan açısından iyon odalarından farklı olan yanı, uygulanan ge rilim değerinin daha yükselmiş olması ve kay naktan çekilen akımın mertebesinde bir büyüme nin meydana gelmesidir. Çekilen akım değeri aza mi olarak mikro amperler mertebesinde bulun maktadır.

Radyasyon detekslyonunda kullanılan diğer bir sayıcı tipi kendi bünyesinde bir deşarj (boşal ma) olayına sahne olan Gelger Müller (G M) tüpleridir, ilke olarak İyon odalarından farklı yanları yoktur. Yalnız aynı tip bir sillndirik oda İçin GM tüplerinde kullanılan gerilim, orantılı sayıcılar ve iyon odalannınkinden daha büyük değerdedir. Elde edilen İşaret düzeyleri voltlar mertebesinde olabilmektedir.

Sintilasyon sayıcılarından {2] sonra İşareti şiddetlendirmek İçin kullanılan foto multipllka tör tüplerinin öngerilimlerinin sağlanması yük sek gerilim güç kaynaklarının diğer bir kullanıl ma alanını oluşturur. Foto multlpllkatörlerde [3] kullanılan yüksek gerilim güç kaynaklan yuka rıda açıklanan detektör tiplerine nazaran ek özel liklere sahip olmalıdırlar. Şöyle ki, yüksek ge rilim kaynağının gerilim değeri 5000 Va dbgin yükselebilmelldir. Fotomultipllkatör tüpünün ka zancının dalma kararlı ve azami tutulabilmesi için yüksek gerilim, kaynağının çıkış geriliminin uygun değerde ve ayarlı olması gerekir. Foto multipllkatör tüpünün dlnodlarına öngerillm sağ

layan dirençlerin üzerinden geçen akımın foton çoğaltılması nedeni ile oluşan akımdan hiç ol mazsa on misli daha büyük 'olmalıdır. Böylece her bir dinoda gelen öngerilimln zaman boyutu içinde değişmediği varsayımını kabul etmiş olu ruz. Dinodlann öngerilimlerini sağlayan gerilim bölücü dirençler üzerinden geçen akımın değeri bazı fotomultlplikatör tüpleri için 10 mA. de ğerine kadar erişmektedir. Akımın bu büyük de ğeri yüksek gerilim güç kaynağının gücünün art ması sonucunu doğal olarak doğurmaktadır. Di nodlara gelen öngerilimlerin sabit kalması yük sek gerilim kaynağının yüke karşı, şebekeye kar şı ve sıcaklığa kargı gösterdiği düzgünlüğe de bağlıdır.

YÜKSEK GERİLİM GÜÇ KAYNAKLARININ GENEL GÖRÜNÜŞÜ

Aşağıda foto multiplikatör tüpleri için tasa rımlanmış ve gerçekleştirilmiş olan 5 kV ve 5 mA şebeke ve yüke karşı 10 mV mertebesinde düz günlüğü ve aynı mertebede dalgalılığı olan bir yüksek gerildm güj kaynağı incelenirken, herbir birlimin (ünitenin) sahip olduğu özellikler ve ala bileceği çeşitli biçimler tartışılacaktır.

Genel' olarak bir yüksek gerilim güç kayna ğının blok diagramı ŞekU l'de gösterildiği biçim dedir. Bu blok diagramının kapsamı dışında ka lan tiplerin varlığı da söz konusudur.

Bu tiplerde genel olarak ayrı1 bir osilatör (üreteç) devresi kullanılmamakta, bunun yerini şebeke frekansının kendisi almaktadır. Kullanılan A.C. A.C. konverter (çevirici) frekansı 50 Hz olmasını gerçekleştirme esnasında göz önünde bulundurulmalıdır [4, 5, 6]. Böylece Şekil l'de gösterilen blok digramdaki DC besleme kaynağı ve üreteç birimleri sistemin doğası icabı kendili ğinden ortadan kalkmaktadır.

0C MAYftAİl

AC ÇtVBOlTICl . . . .

S*

Şekil 1. Yüksek gerilim güç kaynağının blok gemasi

DO BESLEME KAYNAĞI BİRİMİ [7, 8, 9]

Bu birim, yüksek gerilim güç kaynağının ana elemanıdır. Bu birimde olabilecek aksaklıklar, kendisini derhal1 yüksek gerilimin çıkış noktasın da gösterecektir. Onun için bu birim gayet iyi tasarımlanmalıdır. öncelikle DC besleme kayna ğının çıkışlarında bululnan 50 Hz'lik şebeke bile

geninin genliğinin ] mV un altında obuası arzu edilir; DC besleme kaynağının daha büyük mer tebelerde şebeke frekansının bileşenlerine sahip olması, üretecin ürettiği yüksek frekans ile şebe ke frekansının modüle olması ve genlik modu lasyonlu bir işaretin ortaya çıkmasına sebebiyet vermektedir. Böyle genlik modulasyonlu bir işa retin yüksek gerilimi tarafında doğrultulduktan sonra süzülmesi bir hayli güçdür. öte yandan DC besleme kaynağının şebeke değişimlerine karşın duyarlılığının mVlann alt mertebelerinde olması arzu edilir. Aksi takdirde şebekedeki tesadüfi genlik değişimlerinin kötü etkisi yüksek geri limin genliğinde oynama biçiminde görülecek tir. Yüksek gerilim tarafına DC besleme kayna ğından yansıyan diğer kötü bir etki çıkış geri limlerinin sıcaklık ile değişmeleridir. Ayrıca bu kötü etki ŞekU l'de gösterilen blok diagramdakl, bütün bloklar üzerinde de bir tepki doğurabile cek güçtedir. Besleme kaynağından gelebüecek son kötü etki, çekilen darbeli akıma karşın, kay nağın kendisini çok kısa zamanda topariayama masından doğar.

ÜRETEÇ

DC bir işaretin «dolaysız» olarak araya bir işlem girmeksizin yükseltilmesi bir yerde olanak sızdır. Bunun için, bugüne değin yüksek gerilim güç kaynaklarında tutulan genel yol, elimizde bulunan genUği küçük düzeydeki DC gerilim ile bir kere dalga üreteç devresini beslemek olmug tur. Elde edüen dalga biçimlerinin yükseltUmesl ve doğrultulması aşağıdaki kısımlarda zaten in celendiği için ayrıca burada söz edilmeyecektir, önemli olan nokta osilasyonlann cinsidir. Bu bir einuzoidal osilasyon da olabilir; bir kare: dalga osilasyonu da olabilir. Tercihimizin ikincisi yö nünde olmasının kuramsal nedeni, doğrultulan kare dalga biçimindeki işaretin, dalga biçiminin tamamen düz olmasıdır. Halbuki sinuzoidal bir dalga biçimi çift yönlü bir doğrultma devresi üe doğnıltulduğu zaman elde edüen dalga biçiminin, periyod boyunca genliği sıfır noktasından geç mektedir. ŞekU 2'de kare dalga biçimi ve doğ rultulmuş kare dalga, biçimi işaretlerle einuzoi dal dalga biçimi ve doğrultulmuş dalga biçimi arasındaki karşılaştırma.ve karesel ortalama de

ŞekU 2

Elektrik Mühendisliği! 163

ğer, tepe değer ve ortalama değer bakımından yapılan bu karşılaştırmayı veren tabloda aga ğıda bulunmaktadır. Bu tablonun verdiği kurum sal bilgilerden de rahatlıkla görüleceği gibi kare dalga biçiminin seçilmesinin daha elverişli oldu ğu ortaya çıkmaktadır.

Sinuzoldal Kare Dalga Dalga

Karesel ortalama değer

Tepe değer

1.4

Ortalama değer

0.9

Pratikte osilatör olarak çeşitli tipte devre ler kullanılmaktadır. Bunlar arasında bir push pull amplifikatöü süren iki konumu kararsız dal ga üretici [10] (astabl multivibrator), tıkanan dalga üretici [1], SCR'nin tetiklenmesi ile el de edilen bir üreteç [11], ve push pull osilatör [12, 13] başücalarıdır. özellikle tıkanan osila tör tipi çok küçük güçlü devrelerde, iki konumu kararsız dalga üretici ve push pull dalga üreti ci devreleri orta ve yüksek güçlerde kendi do ğaları gereğince kullanılırlar.

Gerçekleştirilen yüksek gerilim güç kayna ğında kullanılan osilatör tipi push pull olup, bu nun devre şeması Şekil 3'de gösterildi. Devrenin kare dalga biçimi işaret üretebilmesi için, trans formatör rezonans frekansının anahtarlama fre kansından çok yüksek olması koşulu gerek ve yeterdir [14]. Bu koşulların sağlandığını kabul ederek devrenin kare dalga üretmesini şöyle açıklayabiliriz [15, 13] :

sinin P noktasına gelinmezden önce Tj iletken olur ve primer sargı (Nj) uçları arasında bir gerilim endüklenir. Bu geri besleme sargısında da (N2) bir gerilim endüklenmesinin nedeni olur; ve Tj transistorunun bazını pozitife sürer ve iletkenlik doymaya doğru devam eder. Böylece Tj transistorunun akımı, onun doyma değerine erişinceye değin yükselir. Bu olduğunda gerilim artık düşmez ve yan kararlı denge koşulu süre gelir.

OFF

TIOFF S

P T, ON

Şekil 4. Çekirdeğin B H eğrisi

Bu süre esnasında transistorun kollektör eme tör uçları arasında kalan gerilim gayet küçük tür. Kollektör akımının bu doyma değeri çekir değin azami Hj ve sargı sayısı ile sınırlandırıl mıştır. Şekil 5fde sırası ile mağnetik akımın de ğişimi (5 a), kollektör dalga biçiminin değişimi (5 b), baz sargılarının orta noktasının değişimi (5 c) ve baz noktasının değişimi (5 d) de gösterilmektedir. Şekil 4'deki eğride P noktasın dan Q noktasına doğru ilerlerken Tj ve T2 tran sistörterinin kollektör ve baz gerilimleri (1) no'lu ilişkiye göre sabit (kalacaktır^ Diğer bir mdeuynimu lekoruyialcetaikmtırd. urumunu T2 de kesim duru

Şekil 3. Push pull üreteç

Başlangıçta, besleme kaynağı Vcc nin dev reye uygulanması anında, T2 transistorunun ke simde ve Tj transistorunun da doymada oldu ğunu, bununla birlikte mağnetik bağlantıyı sağ layan ferrit çekirdeğin [16] B H eğrisinin de Şekil 4'de gösterildiği gibi P doyma noktasından Q ya doğru ayrıldığını kabul edelim. B H eğri

v =—N

(D

dt

Q noktasında tekrar doymaya giren çekirdek kendisini besleyenden daha büyük bir değere hızlıca geçen bir uyarma akımını talep eder. Bu nun bir sonucu olarak primer gerilim daha da azalır ve baz sargısındaki gerilimi azaltır. Bu nun sonucu olarak kollektör akımı azalır. Böy lece T , transistoru üretken olay sonucu yarım periyodun sonunda kesime girer. Q noktasından R noktasına değin mağnetik akıda olan durum T2 transistorunu iletime sürecek yönde, sargılar da gerilimlerin endüklenmesine meydan verir.

Bu münasebetle bir sonraki periyod başlaya bilir. Bu periyottaki olaylar ilkine göre aynıdır. Çekirdek, Şekil 4'deki B H eğrisi üzerindeki S

•88

i (a) •i (d)

n^'lü' illgkide ya'ln. değeri transi|(tor katalogla^ rindan "seçilir, VK ise tarafımızdan bilinmektedir.

(2)

r Anahtarlama zamanlarında oluşan ve işare tin üzerinde bir sönümlü osilasyon biçiminde gö rülen dalgalanmaların en büyük nedeni push pull osllatörün kuplaj sargılarıdır. Yüksek gerilim tarafına bir etkisi olmamasına rağmen osilatör tarafından aşın derecede güç çekilmesine ve se: çllecek transistorlerin sağlaması gereken koşul ları ağırlaştırması nedeni ile bu sönümlü osUas: yonların kısmen yok' edilmesi gerekmektedir. Bunun için kullanılan en basit yöntem, • osilatör sargılarına paralel olarak konulan kapasiteler yardımı ile, transistörlerin kesime gittikleri sü relerde, osilatör sargılarında biriken enerjinin yollarını bu kapasiteler üzerinden kapanmaları nın sağlanmasıdır.

Şekil 6'da deneysel olarak osilatör sargüa rında oluşan dalgalanmaların iyi bir biçimde ön leyen devrenin şeması görülmektedir. Literatür de [15] bu konu ile ilgili dana değişik düzen lerde verilmektedir.

noktası ile temsil edilen negatif doyma bölge sine sürülene değin T2 İletimde kalır. Çekirde ğin doymaya girmesinden sonra, S noktasından P noktasına değin magnetik akı düzgün kalır, ve böylece tam peryot tamamlanır.

OSİLASYONLARIN BAŞLATILMASI, En çok bilinen başlatma devrelerinden biri Şekil 3'de gösterilen gerilim bölücü tipidir. Rj direnci üzerinden küçük bir öngerilim transis törlerin ortak baz noktalarına uygulanır. R, di rencinin değeri transistörlerln akım kazançları ile çekilecek' olan yük akımının değerine bağlı dır. Osilasyonların başlayabilmesi için e'n kötü 'duruım, azami yük akımı ile, asgari akım kazancı koşulunda olgulanır. Ayrıca yüksek gerilim' ta rafında bulunan süzgeç kapasitelerinin dolması esnasında da büyük bir akım çekilecek ve bu yük âkımı ile tâplanarak primer tarafa intikal ede cektir. İşte; başlangıçta :bu büyük yük akımının varjığı josllaşyonların başlamağına engel .olabilir. Şaşlatma, direncinin değeri, genellikle dene ve gör •yöntemine göre saptanırsa da (2) no'lu ilişkiden

M

OSİLATÖR FREKANSI

Sözü edilen frekansın ilk nazarda yüksek ol ması arzu edilir. Zira ideal koşullar altında bir kare dalga yüksek frekans işaretinin doğrultul ması ve süzülmesi alçak frekanslara göre daha iyi sonuç verir. Fakat AC AC konverterin rezo nans frekansının anahtarlama • frekansının bir hayli üstünde olması koşulu ve sekonder yüksek gemilim, sargısının tur adedinin yüksek tutulması nedeni ile çalışılan yüksek gerilim sahalarında 20 kHz'in üstüne çıkılmayı olanaksız^düruma ge tirmiştir, öte yandan yüksek gerilim İarafJnda doubler devresinde kullanılan yârı iletken diyod; ların kapasitesi "kullanılan transistörlerin ''sımj" frekansları, çekirdek* kayiplarinin frekansa art

ması yüksek frekanslarda etkisini duyurmaya başlayacaktır. Frekansın küçük tutulması yüksek gerilim tarafında kullanılan süzgeç kapasitele rinin değerlerinin yükselmesine sebeb olacağı gibi, çekirdeğin magnetik yapısına bağlı kalarak ses frekansı osüatöründe duyulabilir bir ıslık sesi çıkardığı gözlemlenmiştir. Bu ıslak sesinin gen liğinin çıkış gücü ile orantılı olduğu da görül müştür.

AC AO ÇEVÎRTÎCİ BİRİMİ Osilatör sargıları, yüksek gerilim sargısı ve magnetik ortamı sağlayan çekirdekten ibarettir. Şekil 7'de devrenin simgesel birimi olarak gös terildi. AC AC çevirici devresinin en büyük özelliği yüksek rezonans frekansına sahip olabil mesldlr. Bunun sağlanabilmesi için a) yüksfek gerilim tarafındaki sargının tur adedinin olanak elverdikçe dügük tutulması, b) sargılar arasın daki kaçak kapasitenin petek sargı yöntemi uy gulanarak asgariye İndirilmesi, c) kullanılan ferrit çekirdeğin yüksek frekans karakteristiği nin iyi olması gerekir, öte yandan kapalı ortam iğinde bulunan osilatör sargılarından geçen akı mın şiddetinin artması sonucu çekirdekteki ısıl ortamın sıcaklığının yükselmesine meydan verir. Bu ise 0 50°C İlk kademede çekirdeğin doyma

Şekil 7 düzeyinin yaklaşık olarak % 5 [18] değişmesini sağlar ve çalışma frekansının değişmesine neden olur. Gene primer sargıdan geçen akım şiddeti ile ısınan sargının direnci % 20 oranında artacak tır. Bu ise sargılardan geçen akımı bir nebze olsun azaltacağı gibi yüksek gerilimin düşme sine de bir neden oluşturur. Gerçekleştirilen yük sek gerilim kaynağı üzerinde yapılan deneyler de bu özellik gözlemlenmiştir. Sargılar arasında oluşan kaçak şelf tutulamadığı takdirde, veri min düşeceği dalgalanmaların daha büyük oranda ortaya çıkacağı ve dolayıslyle osilatör transis

törlerl için özel koruma düzenlerinin gerekeceği bir gerçektir.

ÇİTTE KATLAMA DOĞRULTMA BÎRİMİ AC AC çeviricinin çjkışında elde edilen gen liği yükseltilmiş fakat yeterli düzeye erişememiş olan kare dalga işaretin hem genliğinin yükseltil mesi ve hem de doğrultulması için doubler trip lör kuadruplör devrelerden yararlanılır. Böyle ce kare dalga İşaretin sahip olduğu genliğin ideal olarak İki katı, üç katı, dört katı değerinde doğ rultulmuş işaretler elde edilir. Kare dalga biçi mindeki gerilimi hem ikiye katlayan ve hem de doğrultan bir doubler devresinin şeması Şekil 8Me gösterildi.

Şekli 8

SÜZGEÇ BİBİMİ Doubler devresi çıkışında elde edilen yüksek gerilimin üzerinde çekilen yük akımına göre osl lasyon frekansında azami bir dalgalanma olacak tır. Bu dalgalanma bir süzgeç devresi yardımı ile zayıflatılmaktadır.

DÜZGÜNLEŞTİKÎCİ VE GERİLİM DENE TİMİ BİRİMİ

Süzgeç devresinin varlığına rağmen yük akı mının ani değişmeleri nedeni ile çıkış gerilimi üzerinde dalgalanmalar olgulanacaktır. Hem bu dalgalanmaların oluşumunu önlemek ve hem de çıkış, gerilimini 0 V'tan azami değerine değin değiştirebilmek amacı İle tasarımlanmış olan iş lemsel yükseltecln blok şeması Şekil 9'da gös terilmektedir.

Çıkış geriliminin düzgünleştirilmesl İşlemi, çıkış noktasından alnan örnek İşaretin Ra di renci aracılığı ile işlemsel yükseltecin girişine verilmesi ve diğer giriş İle olacak farkın yük seltilmesi sonucu elde edilen çıkış işaretinin osi latöre kumanda etmesi ilkesine dayanır. Çıkış geriliminin ayarlanması İse, işlemsel yükselte cin diğer girişindeki referans geriliminin düze yinin ayan ile olanaklıdır. Zira bu gerilim düze yinin konunu değiştirmesi ile birlikte t. Y. in çı kış geriliminin düzeyi değişecek (artacak yahut azalacak) ve osllatörün sürülmesi sağlanacaktır. Böylece yüksek gerilimin genliği değişecek Ve buradan Rs direnci aracılığı İle alınan örnek işa reti î. Y. İn girişleri arasında oluşmuş olan farkı tekrar sıfıra getirecektir.

omr'loior

Şekil 9 îşlemsel yükseltecln, giriş devresinde İlginç olan bir nokta, girişlerinden dışarıya doğm ba kıldığında görülen dirençlerin değerleridir. Bun ların değerleri büyük olduğu zaman girişlere getirecekleri gürültü İşaretlerinin üüzeyi de o ölçüde büyük olacaktır. Bu bakımdan giriş di rençlerinin olanak elverdikçe küçük tutulması yeğlenir, öte yandan numune alınan giriş nok tasından dışarıya doğru bakıldığı zaman görü len direncin değerinin pek küçük tutulması arzu edilmez. Bu direncin değerini saptayan, yüksek gerilim noktasından çekilecek numune akımının azami değeri olacaktır. Bu akımın değerinin yük akımının yanında küçük olması arzu edilir, öyle ise RN direncinin değeri, üstten gürültü nedeni İle alttan numune İşaretinin genliği ve İçinden geçirilen akımın değeri ile sınırlanmaktadır.

Diğer önemli olan nokta Y. G. çıkış noktasın da olagelen ani yük değişmelerine karşı sistemin kendisini kısa bir zamanda toparlaması ve bu na bir cevap verebilmesidir. Bunun için gerekli olan koşul Îşlemsel yükseltecln band genişliğinin büyük olmasıdır. Bunun yanında işlemsel yüksel tecln her iki girişinin zsftnan sabitlerinin olanak elverdikçe küçük ve birbirlerine eş tutulması devrenin çalışması bakımından elverişlidir.

Yüksek gerilimin düzgünlüğünün sağlanma sı için tutulan diğer bir yol; çekirdeğin içine ay rıca sanlan bir alçak gerilim sargısı ile elde edi len işaretin doğrultulması ve yükseltilip osila töre kumanda ettirilmesi esasına dayanır. Bu durumu Şekil l'dekl blok işemada kesikli hatlar İle slmgelendlrildi. Böyle bir tip devre daha zi yade yüksek gerilimden çekilen yükün az oldu ğu durumlarda basitliği ve sorunlarının azlığı nedeni ile önem kazanır.

BİBLİYOGRAFYA

1. A. özsöz, Radyasyon Detekslyonu; Elektro nik Bölümü Yayınlan No: 5, Çekmece Nük leer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 1969; ikin ci baskı 1971.

2. E. Yazgan, Nükleer Elektroniğe Genel Bir Bakış; Elektrik Mühendisliği Cilt 14, sayı 165, Eylül 1970, s. 25 30.

3. E. M. I. Photo Multlpü'elrs Tubes, s. 9; Brochure ref. 30/6 67 (PMT) issue, Hayes Middlesex England.

4. D. C. Power Supply, H V B Serles, Model 6516A, serial number prefix 7c printed oc tober 1967, Hewlet Packard, 10O Locust Avenue, Berkeley Heights, New Jersey 07922.

5. Series 1000 Hlgh Voltage Power Supplles, Raytheon Comp. Sorenson operation, fcîlc hards Ave. Nonvalk, Connectlcut, USA.

6. I. îzumi and M. Kokubu, A Translstorized Hlgh Voltage Regülatör Using A. C. Control; Electronic Engineering, Vol. 36, August 1964 s. 554 56.

7. Canstant voltage, constant current regulated power supplles; Harrison Laboratories, A di vlsion of Hewlett Packard Co. Nov. 6. 1961.

8. J. W. McPherson; Regulated Elements Using Transistora, Electronic Engineering Vol. 36, March 1964, s. 162 65.

9. R. A. Greiner, Semiconductor devices and applicatlons, McGraw Hill Book Co. 1961, a. 315 30.

10. S. A. Gogate and S. G. Şule; Detector Blas supply, N.D.I S. Sectlon, Electronic Divlsion, BHABHA ATOMIC RESEARCH CENTRE BOMBAY, INDIA, 1970.

11. A. Adem, Hlgh Voltage Power Supply for Low Current Applications, General Electric, Application Note, 201,18, 3/66, Semiconduc tor Products Dept. Syracuse, New York.

12. J. Baillet, J. Bourdel, B. Gauthler, Y. Pla igne; Bloc Fonctlonel Allmentation Stabl Usee Haute Tension. Commlssariat A. L'ener gle Atomique Centre d'Etudes Nucleairea de Saclay, Janvler 1966 Dept. d'Electronl que Generale Service d"Electroni)ques dea Reacturs Note CEA N 714, 1833/SER/1125.

13. Merril Palmer, The ABCs of DC to AC Inverters, AN 222 Motorola Semle. Products Inc.

14. R. E. Crosble, Transistorized Hlgh Voltage Supplies, Electronic Engineering, December 1967, VoL 39, No. 478, s. 778 83.

15. Seymour Schwarts, Selected Semiconductor Clrcuits Handbook, Part 9, John Wiley and Sons Inc. August 1961.

16. D. J. Morris, W. Aleacsander, Switching Pro perties of ferrite cores, Electronic Engineer ing, Vol. 35, January 1963, s. 22 27, No. 419.

17. Transistor Circuits Deslgn, Teocas Instru ments Inc., McGraw Hlll Book Comp. 1963.

18. Del Johnson; Slmple Equstions used with Cores and Transistora provide Basls of Transformer Design for Top Performence, Electronics, October 12, 1970.

Elektrik Mühendisi!jfl • 182