TRANSİSTORLAR

Tra ıa sistorlar

E: .• ctronik lâmbaların ömürleri az ve deği şiktir. Bir çok cihazların gece gündüz çalışması gerekmekte, bundan dolayı da sık sık lâmba de ğıştırilmea: icap etmektedir Aynı zamanda elekt ronik lâmbaların almakta oldukları enarjı mik tarlarını randımanlı [kullanmadıkları hepimizin malûmudur. 35 seneluk bir devreden sonra lâm baları hemen hemen her sahada elimine edebile cek daha kullanıştı ve daha ömürlü unsurlar çıkmış olup, bunlara transistor adı verilmekte dir. Transistorlar 20 İlâ 50 dto kazancı yalnız 2 mılıvatla Bağlıyabilmektedir. Transistorların fı lâmadan devreleri de olmadığından bu işe e'zem enerji de kazanılmış olur. Transıstorlann ömür leri 70,000 ilâ 90,000 saat olarak tesbit edilmiş tir.

TRANSİSTOR NEDÎR?

Transistorlar silikon veya germanıum kris tallerinden meydana getirilmiş elemanlardır Ger nıancuim ve silikonlar yan ıletgen olup geçirgen likleri toir izolatörden daha fazla bir ıletgcndeıı de daha azdır. Direnci madenlere zıt olarak ısın dıkça azalmaktadır. Germanium çinko madeni nin işlemi sırasında germanium dioksıdi o'nrak elde edilmekte olup daha bazı işlemlerle saf goi manium kristaline çevrilmektedir. Germanıumla rın elektrıki karakteristikleri havı olduklau guy risaflıklara göre değişmektedir. Germanıum kris talinde yabancı bazı maddeler bulunmadığı za man bunlar transistor vazifesi goreme/nektedıı. EJcr yabancı maddeler yeterinden fazla olduğu takdirde germanıum fazla ıletgen olmakta ve yıno transistor vazifesi görememektedıı. Ger manıum atomunun içinde olmasa lâzım gelen yabancı madde miktarı 10.000 de birdir. Bu se beplen dolayı germanıum atomunun içendeki gay rısaflığı ölçebilmek oldukça zor bir iştir.

ATOMİK HUSUSİYETLERİ

Bilindiği gibi cisimlerin temel uzuvlarını c lektron, proton ve nötronlar meydana getirmek tedir. Elektronların şarjları negatiftir. Proton lar da aynı rriiktarda pozitif şarja sahip olup a Sırhk itibariyle elektrondan 1835 defa daha faz ladır. Nötronlar da protonlar kadar ağır olup hiç bir şarjları yoktur. Atom, proton ve nötron nuk lüslierinden ve bunun etrafında dönen elektron lardan meydana gelmiş demektir. Nüklüsün dı şında bulunan elektron miktarı kadar (şarj itiba riyle) içinde de proton bulunduğundan atom e lektriki olara! sıfır şarjlıdır. Bir maddenin di ğerinden ayrılması ise elektron, proton ve nötron

Yazan : Y Müh. Vasil UZUNOÖLU ınıktaılarının başka başka olmalarından ileri gülmektedir. Tıansıstor fiziği bakımından bizi alâkadar eden deksan küsur elemandan bir kaç tanesidir. Bunlar • Alüminyum, ga'.lum, arsenik, ant non r;ılikon ve germanyumdur Atomların tet k k n> elektronların büyük bir kısmının nüklü stuı cti'ifında S'kı suıettc yerleşmiş elektronlar kor denilen b'r ele n:tn meydana getirmektedir Bunlar net olaıak pcz.tıf şarja sahiptirler. Diğer elektronlar ise bu korlann etrafında serbestçe dolaşırlar Bizi transistorlar bakımından alâka dat .: len bu kor"arın net pozitif şarjı ve bunların etıar.^da dinen serbest elektronlardır. Me.selâ gemi muin n.tor.ıu 32 protona sahip olup, nüklü sün etiaf.nJa sıkı suıettc bağı 28 elektıon var dır Bu üdVple koı f 4 miktar şaıja sahip olup seıbest olarak döıt elektron mevcuttur. Silikon kor'unda da f i miktar şarj olup serbest dört elektron mevcuttur Transistorlar bu suretle hem germanıum hem de silikondan yapılmaktadıı Yüzde yüz saf gırman um veya s lıkon tıansıs toılar bakımından hiç bir mâna ifade etmez Ti arsıstorların ledresman ve nmplıf'kasyon y;ı pabılmelari germimjm kııstalır.n içindeki bazı yabancı maddelerin mevcudiyetidir Arsenik veya Antimon germanıum krıstalıyle birleşince donor den'lea bir cisim meydana getıiı'ı. Arsenik veya antimon koı'un etıafmda 5 serbest elektron var dır, demek oluyor ki antimon kor'un içindeki net pozitif şarj + 5 dır Bum göre antimon veya arsenik germanıum krıstalıyle birleşince 1 elekt ron boşta kahyor demekti'r Germanıum kristali alüminyum veya galıumla birleştiği zaman ise ekseptor denı'ıen bir cisim meydana gelmiş olur Alüminyum veya galıum kor'un net poz tıf şar jı L3e 3 dür ve korun etrafında 3 serbest elektron vardır demektir. Ekseptdrde do göründüğü gibi 1 hol (pozitif şarj) fazlalığı vardır demekt, r Redresman ve amplıfıkasyon hâdiseleri bu elekt ron ve hol'Iarın bırbırl erıne doğru akışlarından meydana irkmektedir Bunların fiziki izahı olduk ça külfet' olup bunu başka bir yazımıza bıra kacağız Donor gayrısaflığı bulunan germanıum kristaline n uirv germanium, e'^eptore havi ger manlum kristalime ise p tıpi germanıum denir. N tipı denmesi hurda akımın elektronlardan (ya nı negatif şarjlaıdan) p tıpı denmesi de akımın hol'lardan (posıt'f şarjlardan) yaratılmış olma sındandır

P N SAHA BİRLEŞİM TRANSİSTORLARI

Geınum'.um transistorları uzun zamandanbe ri rediesman ıçm kullanılmaktadır. N tıpi ve p

tipi germanıümlar nispi olarak ıyı ıletgenlerdır ler ve her ıkı yönde akım nk.tırlar. Gcımanum kristallerinde ıerîıesman ancrA p t'pı germanı umla n t. pı germanıumun ynnyana gotırı'nıss y le celde edıhı Bu suıetle p tıpı ve n tıpı germa nıumlarm yany ana gelmesiyle meydana gelen birleşime p n saha birleşim transıstoı u adı veı ılır.

+6 ö op

+• to o o

*+

o•

•*•

ü GO

da p tipı bir saha yaratır. Bu tip transistorlar ilk kullanılan transistorlar olup 1948 scnesindsnberi kullanılmaktadır Bunlar ilcide etraflıca balıse deccgımız Saha Birleşim Transistorlarıy'o polar ma bakımından aynı evsafa haizdirler Bunlarda Emıncr f polaıınalı, Kolcktör— polarnıalı ve gövde de müşterektir (Bak şekil 4). Nokta Bir

+• •

10 0 0

•« * •

HI

S e kıl /

Şok'l 1 de görüldüğü gıjı kristal uçlu'inn

h'r bataıya bağlanmış o'say lı bu ki jtal ü'i in

den akım akmıyacaktı Bu b:ığ ' ıtı şoklıni' '; . ;

polaıma nt'bıtı denir Gırulduğü gıb: bataı\ ı

nın pozitif u n u elektronum çekecek ve 'juiı.a'i

dalıa d ı >• ığa kaydır aeak'ur BJt".ıyaniıi r T,\

tıf t.nafı di hol'.aıı daha d.ı I . ' I I kayduacr. ;:n

Buna gire r • sola elekti cm akı1 :\ ııe di' raga L 1

akımı olacaktır. F T:at kris'.hl oat.;ıy.ı rg II.TI

şt kıl 2 de göpteı ılJ';j. vaz'yette rıg^ar.'U'ğı tak

dirde bu ak: •" nıevca^tuı B.1 şt 'Cı. luttı * ağ ı.:

tıyP ıli'r1 n:\ii.na , ıtııatı den..1 B'tıı/.ınm j't.

zıtıf u c ı hc' 'l".rı ıtar ve 1,/ I I I I r t ı j ı ı > ; . : T t . ı i i ı . ı

ma kaydıi .ı ları ıtor v.j

Cataıy.tı m r bun'an p t'pı

J .'.ıf ucu gorman

ıl,ı um

e'.o'Âtrı/r, t ıtafii' ı

kaydnır. P N h r.eşı n "'<h.".'

" ' m I^LI I K , y j p u : ].'

ufak bir saha la eiektıcn ve

!ı..".:i: İU1K711 N .

p' gor.ııanıumdan gelen lıeı jloktio^'a b lUşen

lıol'la nukabı], don bir e ekti on

pim pe kristali

jt t ;i

ketdaıearfivned'p. ı<.mı

kprosztı.t;'f

ucuna girer Böylelikle kr'~ta'. "e bir hol yn.'at:_

mış olur ve ha da n tıpi geim.ıu jm tarafına do£

ru akar Hol'la l.rleşcn Vui eİ3ktrona mukr'ııl

bataryanın negatıt taı^fınd^n kristale dogıu lıı

elektrm akışı olur. P sahasmdakı akım ho.'lirin

akışı ve n sahaımdakı akım da 2İektronlann a

kışıdır. Böylelik 3 çeki: 2 dek! bağlayışla ıbir akım

yaratılmış olur.

Seki 1.2 leşim Transistorları dığ'er transistorlara nazaran bazı orijinallikler o haizdir. Toplayıcı akımı veri ci akımından daha fazladır. Bu akım orantısına deı sek, demek oluyor ki birden daha faz : ıdır. Halbuki Saha Bırlıeşım Transistorlarında bıı den daha küçüktür. Nokta Birleşim Tran sistorlarında birden büyük olduğuna göre bu tıp transistorlar osılâtör devreleri açın bilhassa elverişlidir. Lâmbalarda mevcut pozitif geri bes 1 me halı buı da mevcuttur Bu tıp transıstorlar ;1; emi ter vo kolektör arasındaki mesafe çok kı sa olduğundan bunlar bilhassa yüksek frokans laı ıçm elverıçı ıdır. Bu mesafen, n azlığından e.ekti on geçiş zamanı çok azdır. Bugün transıs toı larda âzami işleme frekansı 1000 Mc le kadar çıkarılmıştır.

p n p rr n p n TRAKStSTORLARJ

Bu nevi transistorlardan ıkı tıp olup, bunlar1 1. Nokta Birleşim Transistorları, 2. Saha Birleşim Transistorları'dır

/. Nokta Birleşim Transistorları : Bu tran sistorlar yalnız p n p tipidir Bd tıp tiansıstoı larda gövde n tıpıdır (Bak şekl 3). Genel ola rak transistorlar aşağıdaki kısımlardan baret tır . E Emıncr (Verici C Ko . ktöı (Toplayı cı) B Bodı (Gd"de) Bu tıp tıansıstorlar şu şekilda yapılmaktadır. N t, pı bir parça germanı umun ıkı noktasına birden ıkı iletgenle yüksek akını veıılır, ve bu akım bu ıkl tatbik noktasın

2. Saha Birleşim Transistorlun Bu tıp tıan sistorlar şekil 5 ve 6 da gösterilmiştir. Bunlar p tıp: ve n tıpı transistorların yanyana gelmele riyle toşjkkül ederler.

Şekil 5 p n p tipi olup polarmalar gösteril diği gibidir. Yanı verici (emıter) pozitif, kolek tör negatifdır. Şok 1 6 da ise polarma vaziyeti terstir. Bu transistor i ^p n tıpı olup cmıler ne gatif, kolektor IEO poıtıftı.r Emıterdra .•• . en akım gövde kısmından akıp gıtmey.p gov. _ * • mim katederek kolektör vasıtar, yle akar. Et.ıı tere alçak bir empedansla giren akım kolc'. .töru yüksek bir empedamla terkeder. Akan akım ay nı olduğuna göre yüksek empedanstan akan akım daha fazda enerji demek olduğuna göre yüksek bir ampLifıkasyon hâdisesi yaratılmış olur. Far zedelim ki verici kısmı empsdansı 500 omdur ve kolektor eınpedansı 10,000 omdur 1 ma 1 >"•: b r değişme 500 omda 0.5 volta tekâ'oul ettlfi ne gi re aynı akım 10,000 om üzerinde 10 volt yarata caktır. Buna göre voltaj kazancı 20 demektn. Normal lâmbalaı dak! tıânakondtktansa mukıüıl transistorlarda transempedans kullanılır. (Vo'.t, Ma oranı). Saha birleşim transistorları içm 0.90 IÜĞ 0,99 arasında değişir. Genel olarak transistor ları lâmbalarla karşılaştırırsak, transistorlarda emiterin katoda, gövdenin İzgaraya ve kolektörün de anoda tekabül ettiği görülür.

Diğerlerine nazaran bir çok sahalarda üstün lük gösteren bu t. p transistorlar daha etraflıca ele alınıp devre karakteristikleri, giriş ve çıkış empedansları, yükseltme kaç sayısı metamatikı olarak dzah edilecektir.

Meziyetleri : Gürültü Faktörü : Yapılan tecrübeler gürültü faktörünün 1000 siklide 10 db etrafında olduğu na göstermektedir. Bu oldukça alçak bir birim dir. Lâmbalara göre bir üstünlük mevcuttur. Kı sa devre korkusundan âni : Giriş ve çıkış emps dansları transistor ne şekilde bağlanırsa bağlan sın, daima pozitiftir. BöylelıMo bu tip transistor larda gövdeyi şasi irtibatlı, emiteri şasi irtibatlı veya kolektörü şasi irtibatın yaparak muhtelif giriş ve çıkış empedansları eide etmiş oluruz.

Yüksek Kazanç : Her katta 45 ilâ 55 db ka zanç elde edilmiştir.

Güç Kapasitesi ve randımanı : 5 vata kadar enerji sarfetme hassasiyetine sahiptir. A sınıfı çalıştığı zaman % 50 randıman elde •edildiğine göre çıkış gücü 2.5 vat civarındadır. B ve C sı nıfı çalışmalarda randıman daha da yüksektir.

Küçüklüğü : Transistorun germanium kısmı

0.4 0.5 sm çaplı bir gövde içme sığdırıhnıştır. Bakalitin ıçmde üç ıletgen germanium üzerine o'ektrıkı ve mekanıkı olarak tutturulmuştur. Bu uç.ar baka'ı.t govde don cyrı ayrı uç uç olarak çi kaıılmış'.::

Mık ^nfon.k tesirlerden ân : Ses frekanslariy le y\"\ıan v jrasyon tecrübeleri bu tıp transıstoı la.iıi ınıkrcfcnık tesirlerden ân olduklarını gös VımAt;3ıı.

Bı ,Iı! Grv^hc'/ı : Ko'.ektör kapasıtansı band %. ri7İ&ını ta>n randımanda h:r kaç kilosıklıys ir J r.ıı '".ctedT. Fakat empedans ayarlamalarıyle '».•'•!d gû_n:ş: gı 1 Mc lıye kadar çıkarılabılmekto d r V3 bu bani üzerine bir zayıflama .gösterme ni;' o', dır.

Çok az enerji ihtiyacı : Belki de transistorun en oneau. kısmı çok az enerji ile çalışabılmesı >dlr. Bunun ıçm en iyi misali bir ses osılâtöründe verebiliriz. Meselâ b>r ses frekans osılâtörd 0 1 voltluk kaynaktan 6 mıkroamper çekmektedir. Bu 0.6 mikrovatlık bir enerjiye tekabül etmekte dir. Bugün kullanılmakta o'.an e'jektron lâmbala rıyle karşılaştırdığımızda bir lâmbanın yalnız fi lâman devresinin bu enerjinin milyonlarca üstün de bir enerji ıl3 çalıştığını görürüz.

STATİK KARAKTERİSTİKLERİ Transistorların alçak frekans çalışmaları şe kil 7 ve 8 deki statik karakteristik eğrilerinden elde edilebilir.

o.i r t.i > \

StO

2.0

1o

43.O, /

• JAJ\J 0

2. o

K.M.M. 6

i?

O4<5±^J jL ...._

Şek/i

t i 1 . 'ı • '•< >!' K uı .•' ı u ı > ' y n : ' . ' ~' ' ) ; " : ı i . . ' . ' > •

ı! • ı <' ,ı ,ı V v i ı ı _ . n ı t t i \ e i< ) _ ' i o e ,'. : t ı , " .

.ıı.ın |. J K I I . I o • ı . " ' ^ . f

I ı ı ı c 1 ' / *: V • 't<> — i

{v . ..1 ^. ;.;JI .ciığı g;'; lir. î 'k ol.ıtak transı sto

ı an yul:1 ..'t'"c tf ıtı *ı . . ' " " .(•>.: \ ı vo !nı • »>

.ık'i..aım ne .'»Irîuyıınu tı\s).ı t uıiel'i1), yun, po.û'

ı.Ki'rnını .lula'ını Lu '7 !;oJ :y'T;t:r.'w r.< t 'i: nr,; m"". çalış."!:1 i.aü'isınJa l.nî^iıan 1; I: r.kteı. >i.v îoı li ılın ç.^gı ile, katof ki';m;ic!a b: ı.'nanlai ı^.1

ko.sint'lj ç'zjı'eı'j ff. slı • :i:niF'_.) Yuk'irıûjK, r j

ı:lerc!c gurüldıiği' g bı ncimal ç a h f r ı Bi.hısırrJ'i

Ve (Kolektör voltajı) pcrzıtıftır (n p n tıpı t r n

sıstor kastedilmektedir). D;">ıek oluyoi ki ko'ük

tör gövdeye gdre pozitif olmalıdır Bu transıritoı

tçin 0.1 ilâ 35 voltluk bir pr.'lrma elzemdir. Bu

eğriler üzerinde görüldüğü g.ibı bütün emıter a

kımlan negatiftir Bu demek oluyor ki emiter

negatif bir voltajla beslenmelidir ve akım emı

terden dışarı doğru akmalıdır. Bu vazıyette emi

ter akımına tekabül eden kolektör akımı hemen

hemen aynıdır. İki akımın da yönlen birbirine zıt

olduğuna göre kolektdre giren akımın toüyük bir

kısmı envterden çıkmaktadır. Buna göre gövde

den akan akım elde edilebilir ÎJk olarak şunu

mü şahade etmek lâzımdır ki bütün emıter vol

taj eğrileri sıfır volt civarında çok küçük emıccr

voltaj sahasına tokâbul etmektedir. Aynı zaman

da çalışma sahası voltun binde birim kaplamak

tadır. Bu demek oluyor ki kolektör voltajı sab:t

tutulursa ufak emiter voltajı degiş ıklikler yle

büyük kolıektör akımı değişiklikleri elde edebili

riz veya .kolektör amperi sabit tutulursa ufak e

imter voltaj degışsklıkleny.e büyük kolektör vol

tajı değişiklikten! elde edebiliriz Bu demektir ki

b<u top transistorlar alçak kaynaık empsdansı ûe

E. M. M, 6

yüksek yük empedansı {ırasında iyi bir daim akım yükseltici olarak Jtulanılabilir. Bu tatbi katta 10,000 defalık bir voltaj yükseltmesi eldi edilmiştir. Kolektör devresinin emiter voltajın.' karşı gösterdiği büyük hassasiyet alternatif yük seltme devreleri ıçm bir akım kaynağının kııi:a mlmasım telkm etmektedir. Bu bir p UL n v. '/:n ı seri olarak bağlanmış çok yüksek b:r <":: ot, elde edilob hr. Bm'tcr voltajı sıfti c. vru'jı uî.ı olduğundan emıter akımı, p'lın vr 'jj u g^.ir N . sori rezistansa bölmekle buluna'>: i'.

Bu statik kaıakter,(?t:kleıüen ;ıy:.ı znııı.' '.i.ı krısfıi:ermuı büyük s<nya! degış'k) kleı mo k . If.ı ic elde oJıIubı:» Yak rcz'stif i£o şık.' 7 d>' ••jıuldü^u s .n işleın? no'ı'ui'A Avz ç 7â n r; (y.ik rgi'ir\) üzerinde aşağı vu yakan hareket e'cc. I t a . Bu yük direnci bu a!t2rn;ttu akını yukn.iü te

' : ' J l e.î:p ıezıt.tu liı'&eü ı'î 1000 c ııâur F ıız* ,u .nı ko^'ktdr poiâir.ıj. vo.tajı 29 \ .:it vo a'' ıı •Af 2 mı ıampcıri.1 Buna gjîı.1 i'iur;. îîaynayınd.ı ı c ,vJpn cneıjı 10 r ı hv it t;; Ş nı.'l l'.'Jİektct vol i] \ru akı ıııııı gıiışurt ci'ıi'iıı "iın ^.JI'C n e a ' ı . Kn}v ıieı k<:>. i;toı f kkıı o! tu1"1.* di'3 o ('u £;undan ve aialarmdaki mesafeler de aynı oldu ğundan çıkış amyalı dıstorsıyonsuz olarak sıfır colektör vc'tajmdan sıfır koVktor ak:mana kaf'.ai , " srer. k k . y i " lor Alt .s.mı rr .t':1» ::c!ckto.' . .jıjıriın () I vjuurı a .ma ıruLf, vo eği' oı r. . '•• .:._T<C j, j ı ı . ' . ' l ı î b s c s m ı r ııo.cıf JI ••.a kD.<:.< •Af . L I C I ' ! I : J U I , e i i L î r I.,^1.111 .sıiıra n . l ğ i h a e , ; :.ı ol ıı i"i ::; ylc dc i'. ıi'ı.'itadu' B'i v.'i^jyeUo \:.o .ı "tor a,a .ima r.:;.. ı s u m ^0 m lıampor cıva J P I J T I I ı . BU I ıı'n.1 ir .'kı.n tO C00 OıTilul; b.r y^Js to 0 5 vrlta kkiijul ettıgındu.ı, dj nt.v okuyor k: 1:> itor v ' l'iji ger1" c âeggışş/n:" ; .'İ9 5 ilâ 0 1 volt ai'üiiıd" İn. 20 volt.'i'': .sabit br iŞ u r.r';.1." nıiısak bunun üzerın^eTi olr.oılecck g n l . k ' I ' ğ i ş'lc'.ığ; 19 S vo.tli'k pozitif Ç'',vş ve 19 0 volt' ı'.c nt^atıf mıştır. Sabit iş.eme ııoictası 19 S volta indirilirse 19 7 voltluk .bir maksimum çıkış eld I edilebilir ve bu da yükte 19 45 miûıvatl k btı sinyale tekâbul eder. Bu 48.5 '/f luk bir kolektro randımanı verir. Butun randıman hesapları em; tere smus dalgası verildiğine göre hesaplaa.ııış tır.

İŞLETME NOKTASINA GÖRE TJZANSÎSTOJİ EVSAFININ DEĞİŞMESİ

Ryder ve Kircher transistorların alçak fre kanalarda ve küçük s nyal tatbikatında aşağıdak1 devreyle temsil cd'iK'bilepeğ ını gösteı mıştır.

B'i'.no şekil bir akım kaynağı şekJ.nde, ikin ci şekil ose aynı devrenin bir voltaj kaynağı şek linde gösterilişidir.

re = emiter direnci, rb gövde direnci, re ~ kolektör direnci, rmıe lâmbalarda, uog birimine tekâbü! e den kısım,

îr

Cs

Ve = VI Emıiter voltajı, Ve = V2 = Kolektör voltajı, Io = II = Emıter akımı,, Ic 12 = Kolektör akımı. Ryder ve Kirclıer'i'n ispat ett'klerne yukarıdaki dört direnç, diğer.on de şc!c 1 7 ve 3 de gösterilen eğrilerden elde edileoiîır. Fs iıt n p n tipi transıstor'arda bu sistemle ıy ' ~ t;cj elde etmek biraz zordur. Buna göre değv.. ... 4 pol metoduna göre daha kolaylık'.a elde edUebıiır. Bu ölçüler kaba olarak dağarlsrmm 'kalt.ilor voltajına bağlı olmadıklarını gostermslctedır, ye ter ki kolektör voltajı çok aşağı derecelerde (me a

S ekil ff

8eJâ 0.1 den aşağı) bulunmasın ve güç sarfiyatı da transistoru ısıtmasın Buna göre bu değerlerin emited akımına göre nasıl değiştiklerini göster mek yerinde olur.

Şekil 12 ve 13 rc ve rm m aynı şekilde de ğ jtik'or.n. göstermektedir. Teorik olarak rc ve rm in namütenahi olmaları lâzamdır. Hakikatte 10 megaom civarında olduklarını göstermekte dir GO megaoma kadar değerler Bell Telephone Lâ ) ratuvanarında ölçufu nüştür.

Şek'l 14 de gürüıldüğü gibi rb m değeri aşa ğı yukırı 240 om olup Ie değerinde bağlı değil ıir Şekil 15 de görüldüğü gibi emıter akımı art tıkça re azalmaktadır. 50 mı.kroamperde 500 om olup 5 mılıa nperde 5 oma inmektedir.

o /fi

I s 4 e» 2 ı .4

2oo 160 t o «o

»——. —^

—x

t

/ '.2

*'.4

fg r /y/ü' f2

""""""

•]*'rn ıTMı

0. 2

o. e

i. o

/4

17 ^

—,

N 1—

•——« g

rc o

5C

J o< \ k\

İOO o2

_ »i

/.a

/ , = tfiliampT

$eA// /3

—r —

....

o, —r 71

5eJttl.fs

(Devam edecek)