Elektrik Mühendisliği · Sayı 100 · Nisan 1965

TRANSİSTÖR ÖLÇÜ ALETİ

Hüseyin Yurdatemiz

Elektronik ve yarı iletkenler Teknik / bilimsel makale

Yıl
1965
Sayfa
6
Okuma süresi
7 dk
Görüntülenme
0

Konu

Elektronik ve yarı iletkenler

Anahtar kelimeler

  • transistör
  • ölçü aleti
  • diyot
  • PNP
  • NPN
  • kollektör akımı

Özet

Yazıda transistör ve diyotların bozuk olup olmadığını, kazanç ve sızıntı oranlarını ölçmeye yarayan basit ve pratik bir ölçü aleti devresi anlatılmakta, farklı transistör tiplerine göre bağlantı ve ayar önerileri sunulmaktadır.

Tam metin

Metin PDF'ten otomatik çıkarılmıştır; tablo, şekil ve formüller eksik ya da hatalı olabilir. Özgün dizgi için PDF'e bakın.

Time : GSI.SIT.T -. n21.3t.1_7

Transistor Ölçü Aleti

Bu yazıda transistorların ve yan İletken dly otların çeşitli Ülkülerinde kullanılan basit bir

ölçü aleti anlatılacaktır,

W

Tnuulıtanm bocuk olup olmadığını anlamak

İçin h e r k s i n bildiği met od, ommetre !ie transis­

torun uçlin -oıumdakl dirençten <.!•;: •;••:•-Ü .

Nonıifll bir tranatjtonJa bu dirençler sıfjr delil­

dir. Bor-cmctar arası ve bar. - kDİLeklSr arası

dirençler, geçirme yönünde birkaç yllır. ora racrlehmı İndedir. Ayrıca. "hu dirençler yöne güre de-

(fl^lr. E£er transistor bozuksa bu direnı;ler sı­

rır. nlıır, E£er bozukluk irtınsistar içindeki Eİekln.-Kİ uçlarından birinin kopmasından ileri geli­

yorsa om ait ire son sn a gösterir, Btı metodun cıı

büyük mahzuru transistoru tehlikeye snkmnaıdir. TranHİülur direncini ülçnıek İçin Ommetrıemn

transistordan geçirdiği akim, transistoru hnrn|j

edecek mertebede olabilir. Bu. yUKden ktlçük

transistorları ûmmetne Hc muayene etmek çok

nam an inalı turlu dur,

Transistora zarar vermeden ölçü yapmanın en buait yolu Şekil. 1 decTüstcrilmektedlr, Burada iTanpiütorun koîkjkttlrü Jla emetörd ve bar.ı ile cınctürü arasına şekilde gösterilen yündü fifarflimler tatbik edilmiştir.

Ya^an ; Hüseyin YURDVTEMİZ

T. Müh.

ile bctll olacaktır. Tnıiiaiatnrun kazancını kuntrol için K anahtarı kapatılır va bn*-emetör arasına bir gerilim tatbik edilir. Bu devredeki II direnci o seklide seçilmelidir ]tı b u - e m e l ü r dev­ resinden geçen baz. akımı transistorun müsaade edilebilen haz akımını almamalı dır, Baz n kiminin da£arine göre eınetür akımı devşir. Baz .ıknnıni deriştirmek istiyorsak R direncini ayarlı seçeriz. (kÜOÜk transistorlarda baz akımı 10Û mikrunmperl geçmemelidir). Normal bir trartsistoı-da baz akımım artırdıkça kül tek tür akımı da buna. bağ­ lı olarak artar. (5-Et mlliampere kadar) R di­ rencinin lıerlınngl bir dejjurinde, trans; isterlin kolkıktör aidim bas akımına oranlanırsa yakla­ şık [jlarnk beta akım kazancı bulunur. Beta ekE-erlyu 2(1 - 100 kadardır. Netice olarak h&ü akirat sıfır İken kollek tör ak uta çuk büyükse ve baz sıkımından itibaren artırıldıkça koltekiör akımın­ da artma, olmazsa muayene edilen transistor bo­ zuk demektir- Aynı muayeneyi tek bir batarya kullanarak da yapabiliriz. Bunun devresi Şekil. 2 da E-flıilİtiyor. Buruda da nym şekilde lıczııldtık

tşeltil: i)

K anajrlftrmı kanatmadan avvel emetör devresindeki lulilıımpermelre t; o i; küçük bir okun tmo-200 ^,. A h gösterir. Bunu koilekUir kesini aktım denir. Bu akım, V^ geriliminin german­ yum veya silikon direncinin bir funküiycmınlur. Bu «kimin mümkün olduğu kadar küçük olma­ yı istunir. Oermunyum y ti/.üı ıdek i bir kirlenme veya kısa devre, ölçü aletinde büyük bir Wpnm

Eloklrik HültonUısIlgl İQU

t şekli .- 2}

muayenesi yapılabilir. Fakat büyük dirençli Rf. potunBİyometresl liollektör tarafında buîunma-î

lıtlır. Küçük Jlrençli ölçü aletine {20

ulım) parnlul gelen büyük dirençli (2$ kilûubm)

potanslyoınctrc ülıjilye tesir etmez. Bu devrenin

bir uvantrtjı dlyntlann da muayene edllı-bilmuüLdir. Bir diyutlu muayene edebiiıııck itin kato­

du n, i-l i ucuna, nbtirilde D„ (—) ucuna bağ­

lanır- ölçü aletinde ki sapma. li|, potanslyûnıelresi llu tam sapmaya ayarlanır. (Yalnız bu akım

diyodun maksimum akımını geçmemelidir). Potnnstyûme trenin koıutmu değişmede u diyodun

uçları aksedilir, ülçli ale Ündeki Bap ma kayde­ dilir. Hu tapınıı çok kUçük olanağından, fiıllianıptrınetre ile okunacak mertebede delildir. Mlllampernietrcye seri bir mlkronınpemıeTre hnftlıy aralı LITH ııl 11 m dııha lıımsas uhırûk Utvü lehli İr. İkinci .••.Lf1111aııın lanı farımaya oranına d iyodun geçirme olanı denir. Bir kıisütl dtyut 1-glıı 1/&0 geçlrUM oram iyi sayılabilir. Mı'lailk ı-edn'uElı-ler için İSA 1/20 geçirme oram İyidir.

Transistorun sızın U kazanç oram da bu-devrc ile tllçü lehli İr. Bu «içme için 100 mJkro am­ per kadar bir bas akımı geçirilir ye kolleklör akımı pötttnetj'ometri ite ayarlanarak fllçü aleti sonuna İtadar saptırılır. E£er sonuna kadar sap­ mıyorsa maksimum sapına kaydedilir. Sonra K nnaiıtarj açıldığı zaman ( I n = 0 ) ölçü ntetlndeki küçük sapma okunur. tklnei sapmanın birinci Kapmaya uranımı sızıntı-kazanç oram denir TT» yüzde olarak ifade erli Ur. örneğin; kazanç du­ rumunda l mlllampere .-L.I-:• •-In n Ir• bas: akımı sı­ fır yapıldığında 10 nılkronuıpert» İnmişe sızıntı oram 10.IO-" = & ] dJr. Bu oranın M* olması l.ltM İslenir,

Buraya kadar yalnu P - N - p tipi tranaistorların Ölçülmesini isalı ettik. N - P - N Ltpi Iranala torları» Ölçülmesi dV aynıdır, ynlıııjî tatbik edi­ len gerilim yönleri twmtlr, (Şekil. 3>. N - P - N llpl transistorlar nadiren kullanılırlar. Fakat tranalstor Ülçil aletiyle N - P - N Lipinl de ölçe­ bilmek [çiıı çekil Ü deki duvryyc hir enveraür ilave etmek kâfidir.

mA tf«WJ: 3i

Eazdan geçen akımı aynen bir Ulell aleti koynından AH i m ak İç En. baz dircnelnl Mr konıtıtattirle değiştirerek baz akımım kademi1!! ulıimk çeşitli demirlere nynrlayabÜlrİE, Bu suretle bas nkunrnuı devrini komütatür üeerindo okumak mümkündür. Bu lq[ y<ı parken transistorun bası İte emHürü arasındaki dlrYlıel ihmal otmls olu­ yoruz. Baz devresine konulan dirençler klto oıiı1lar mertebesinde. transistorun hoz-ometör di­

•îl

renci İ3c birkaç ydz em olduğundan bu İhmali yûpablllrz.

Transistorun karakteristiklerini çıkarmak İs­ in-rsek kaynak fturrtimJ»i de duftiffllrmek lenlmiter. Kaymık gerillada) değiştirmeden de yak­ laşık (durak karakteristik çıkarılabilir, Şekli. -İd.' gortUdlljtu gibi SttbÜ bir ta* akınımda kotlöktür - ciui'Kjf oram gmiHmltı ttaglçımjfll it> kntlı-ktSr »knııımı pek U'nir etme mu İlindir.

Transistorlu mı ini üzclllftlnden fa^dalnnarnk potanalyoımetrenln maksimum konunıuadn^ IB bas akımına 20, JQ mU^roampcr gibi degerter vererek A, B, C. P nuktnlnnaı bulabilirle- 13» nokLalardan yatay e]wne paraleller çizilerek yaklagık knrekterislik bulunur. Fnknt bu karaktı/ristikler f.'scısındu j-atny eku?ne tanı [inrıılel ttogUdlr. Daiuı İyi bir kanıkt^rlstlk çıkarınnk için kolleklür-enıetlir Ktrll'nıinl yani btülm dı-vrL-dc kaynak ^nrıiluıliıi (ndIIampermetre direnci çok küçük uldufuııdan VL> jıolnnalyuiııetrv dıî sc^n ko­ numunda aJdufiuıidıih vrjl> = VÇIJ kabul edlle^ bllir>. deg-J^tlrnıek IcübedLT. Kaynak gerilimini degtîLlı-Miu isi gerilimi baUfoU Us ynpılalılıir. CkirlUın l)(Hücü k^denıell olarak ynpıUtsn, ve kay­ nak g-ari ti minin sn ninnin clegiçmcdlgl kabul edi­ lirse V{.£ kuUeltlOr- emrlör iferiliminl üJ(;ıııek için ayrıca bir voltmetreye I Uzum yoktur. BCyleec karnktfiigtikler tanı oiurnlc çikarıliıbilir. Bu ı':,:ı.i:ln ı;[diJ3ma nolttnamııı çtiç lıip^rbolU dı-•iinn üLkrnnrnıı.-HiuiL dikkat etmelidir. Aksi halde tranaistor rmduea ısınarak harap alabilir, Çün­ kü tttnbJllzaüyon sag:lanımş delildir. BÜlün hu nnlalılahbır Şt*ltU. S deki çeıun Üzerine nktunlıııı^tir. Bu şemada \\,

R- fllroaçltrl baz

akımını tâyin eder. Etdekl imkanlara göre

ElflMrtk MUhcadlstuji IDO

•t

V0©''* tekir

f0fb„.

Teknik sahalardaki her türlü araştırma işlerinizde emniyet­ le kullanabileceğiniz en kali­ teli O S S İ L O S K O P

«•MZI^K^B^P^IBamM

\

TeklronİM Türkiye Mümessilliği

M.Süheyl Erkmön {Y. Muh.)

Necati bey cad.207 Galata İSTANBUL tel:4415 46 Telgraf:INGMESIJER İSTANBUL

j«"BOO«ö"OOOOOC3İX3eS!«fc<)^

MEEIKEZ DİNASJ

Türkiye Daimi Mümessilliği

Ericsson Türk Ticaret Ltd. Ştî.

Ankara

İstanbul

İzmir

Tel : 12 31 70 Tel : 22 81 02 Tel : 37823

«s

EJeHttiK MülıctıdİEtlıTf ]OD

İNİ fcıicsson

İMİPP satoltla olduğu tatar vu tasMtan satanla ta

M E R ı c s_ş

El*ıTıt *****"**• ı«

bu kademe sayısı artırılabilir. Daha önceki şe­

killerde bulunan K anahtarı yerine burada komütatörü bir konumu kullanılmıştır. Emetör -

kollektör geriliminin ayarı için de R,

R,._.

dirençleri gerilim bölücü olarak kullanılmıştır.

Transistorun bağlantıları İçin bir transistor soketi uygundur. Bu aletten ommetre olarak da faydalanmak için ölçü aletinde ayrıca ommetre skaiası yapılabilir ve D, D„ uçları ommetre gi­ rişi olarak kullanılır, ölçü aleti çeşitli direnç­ lerle şöntlenerek çeşitli ommetre ve ampermetre kademeleri elde edilebilir.

Profesyoneller için Şekil. 6 daki ölçü aleti yetersiz olduğu takdirde Şekil. 5 deki ölçü aletini kullanmak İcabeder. Devre elemanlarının değeri kullanma şekline göre değişirse de aşağıdaki de­ ğerler uygundur. Büyük VCE gerilimlerine ka­ dar ölçü yapılacaksa ikinci tavsiye de verilen değerler kullanılmalıdır.

(Şekil: S)

N - P - N tipi transistoru ölç^nek İçin kaynak uçlarını aksedecek bir enversör kullanılmıştır. Devreden geçecek akim da ters olacağından öl­ çü aleti uçlarını da aksetmek gerekir. Her iki enversör beraber çalıştığı takdirde pratik zor­ luklar halledilir. Yalnız D, ve D2 diyot uçlarının enversörün NPN durumunda aksedildiğini gözönüne almak icabeder. Bu yüzden diyot ölçme­ lerini enversörün P N P konumunda yapılması uy­ gundur.

Partik tavsiyeler :

Transistorun karakteristiği çıkarmak lüzum­ lu değilse ve sadece küçük güçlü transistorların ve diyotların bozuk olup olmadığı bilinmek is­ teniyorsa Şekil. 5 deki devre lüzumsuzdur. Komütatörler ve enversörler kaldırılabilir. Bu su­ retle öfcü aleti küçülmüş ve ucuzlamış olur. (Şekil. 6) Bu devrede tavsiye edilen değerler şunlardır :

OC26, OC30 gibi büyük güçlü transistorları da ölçmek için baz akımına 10, 20, 30...100mA lik kademeler de ilâve etmek icabeder. Transis­ toru soketine takmadan önce baz akımı en küçük kademesinde bulunmalıdır. OC44, OC45 gibi kü çük transistorlarda baz akımını 120 ^.A den yu­ karı çıkarmamaya dikkat etmelidir. Ayrıca, kü­ çük güçlü transistorlarda kollektör akımı bü­ yük olacağından ölçü aletinin şöntliyerek bir­ kaç kademeli yapmak icabeder. (örneğin OC26 için lOOmA baz akımında 3A'e yakın kollektör akımı geçecektir. Bu ölçmeyi yaparken transis­ toru soğutmayı unutmamalıdır.)

ölçmeyi pratik hale getirmek ve transistoru kullanılır veya kullanılmaz şekilde ayırmak için baz akımı, emetör - kollektör gerilimi ayar ka-. demeleri numaratörlü olarak yapılabilir. Her transistora bir sayı tekabül ettirilerek baz akı­ mı ve VCE gerilimi bu numaraya göre ayar­ lanır ve ölçü aletindeki sapma transistorun iyi veya kötü oluşu hakkında fikir verir.

Şekil 5'deki devre ile de, çeşitli ilaveler ya­ pılarak akım, gerilim ve direnç ölçmek kabil­ dir.

Elektrik Mühendisliği 100