MONOSTABİL MULTİVİBRATÖR ÜZERİNE GENEL BİLGİLER

UDK: 621.374

Çeviren :

Mehmet KAÇMAZ TCDD

ÖZET Bu yazıda monastabil multivibratör kksaca tanımlanmakta, temel deme ele alınarak geliştirilmekte, en kötü koşullara göre adım adım hesaplama yolu açıklanmaktadır.

Ayrıca, eşlenik (komplementerj transistorlu, <jlem yükselteçli ve sayısal (digital) elemanlarla yapılan monostabil multivibratörler üzerine bilgiler verilmektedir.

SVMMARY in this article monostable multıvibrator is presented shortly, developed starting /rom the main form and step by step ıcalculation techniyue is given Jor toorst condition. Also the information on monostable multivibrators contruscted using camplementary transistors, operational amplifiers and digital elementi are given.

1. TANIMLAMA VE UYGULAMADAKi YERt

Aşağıda kısaca MV olarak gösterilecek olan rnonostabü multivibratörün, bir kararlı bir de kararsız konumu vardır. Kararsız konum girişteki bir tetikleıne darbesi ile başlar, çıkıştaki t,, darbe süresini ise MV belirler. Tek darbe

IA verme üzerine yapılan, tetiklenen üreteç tanımlamasına monovibratör, ünivibratör adları daha uygun düşer, bir diğer adı da monofloptur. Çıkış darbesinin yüksekliği de MV'ün belirlediği bir durum olduğundan tetiklenen gerilim verici olarak adlandırılabilir ve bu tür kullanılabilir. Aynca çıkış, darbesinin başlangıcı girişteki tetikleme darbesi ile hemzaman olduğu için, darbe geciktirici ve frekans bölücü [1] olarak kullanılır. Genel devre için geçerli bir tanımlama MV'ü iki katlı çapraz kuplajh, doğru akım ve alternatif akım geri beslemeli bir yükselteç olarak verir.

Uygulama alanları: Darbe genişliği vericisi, darbe geciktiricisi, frekans bölücüsü, geniim vericisi, çıkışında bir entegratör olması halinde frekans . gerilim çevlı içişi, kumanda edilebilen darbe süreli darbe genişliği modülatörü olarak kullanılabilir.

2. GERt BESLEMESlZ MV

Çalışma şekli ve devresi (Şekil 1), giriş igareti tetiklenen bir anahtarlama yükselteci (T^ ve bunun bir RC yüksek geçirgen üzerinden kumanda ettiği çıkış anahtarlama yükselteci (T2) zin-

* Elektronik dergisinden, S. 4, 1971, çevrilmiştir.

Mühendisliği 192

Seldi 1. tki ıC kuplajü anahtarlama katından oluşmuş monostabil multivibratörün en basit biçimi RK geri besleme yolu kesikli çizgiyle verilmiştir.

cirleme devreleri olaıak ele alındığı zaman kolaylıkla anlaşılabilir ve değişimleri tasarlanabilir. RK üzerinden yapılan doğru akım geri beslemesiyle (kesiklik çizgili) genel devre elde edilir. Darbe süresi (monoflop veya gecikme zamanı) tM 'nin başlamasından önce UE = O V, T kapalı, T2 açık ve zaman kondansatörü C , dolmuştur. UE pozitif olunca (darbe büyüklüğü ^> 0,7 V) T, açılır, toplayıcı gerilimi OVa •lüşer ve T2'nin tabanında negatif bir darbe mey-•lana gelir. T2 kesime geçer ve CM , l taraft OV'a çekildiğinden bir e-fonksiyonuna göre karşıt yönlü yüklenir.

Bu yöne yüklenme 2 tarafı, T2'ye, I taban akımı gelebilecek kadar pozitif olunca durur. Toplayıcı gerilimi U henüz geri besleme ol-

madığından, yavag yavaş Ub'den OV'a düğer. Bu darbe süresi tM 'nin sonu, yani çıkış darbesinin negatif (geri) düğüsü olur. T2 transistoru, girig gerilimi UE O V'a geri döndüğü zaman (giriş darbesinin geri düşüğü), yani T, 'in kesimde olması ve C 'nin tekrardan -başlangıç değerine dolması halinde yeni bir çıkış darbesi verebilir.

Akım yolu: Ub~ RC(— CM -taban- toplayıcı (T2) OV olur. Bunun için geri dolma ya da yenilenme süresi (recovery time) tD geçmelidir.

I\

Sekil 3'te U ve

E ile gösterilmiştir.

'nin durumu kesikli çizgi

^ CE2

Devrenin Sakıncaları:

1. Giriş darbesinin geri ' düşüşü, darbe süre si t ' n i n bitiminden önce gelirse, tM kısalır.

2. Giriş darbesinin hızlı değişimleri çıkış dar-, besine taşınabilir, özellikle t M 'nin bitiminden az önceki süreler çok kiritiktir. Çıkışta çoklu dar beler ve dolayısıyla hatalı bilgi meydana gele bilir. 3. Çıkış darbesinin negatif (geri) düşüşünün dikliğinin az olması. Şekil rdeki devre, bu sakıncaların etkilerinin düşünülmediği, örneğin T, anahtarlama katının aynı zamanda bir multivibratörün çıkış katı olması ve belirli zaman programına göre çalışması gibi durumlarda kullanılabilir. [2]'de verilen bir devrede T, yerine bir diyot geçidi kullanılmıştır. T2 ise ek bir transistörle, geri düşüşün dikleşmesi için bir Schmitt tetlkleylclsi olarak genişletilmiştir.

3. AYNI YÖNLÜ TRANSİSTORLU MV'ÜN

DEVRESi

Bu devre, bazı elemanlarla tamamlanmış olan

Şekil 2'deki devreye RB| geri besleme direncinin eklenmesinden oluşmuştur. Eski, genellikle Ge transistorlu devrelerdeki kondansatör köprülü ortak yayıcı direnci [3] kaldırılmıştır. Şimdiki normal Si düzlemsel transistörlerle, kesim akımları Ge transistörlere göre pek küçük olduklarından, Tx doyum gerilimi UCERZ (genellikle ı<0,3 V) ile kolaylıkla kesime geçirilebilir. R 'e parelel bir hızlandırma (speed-up) kondansatörü pek nadiren gerekli olur. Bir devreyi, gereğinden daha hızlı (yüksek frekanslı) yapmak, karıştırıcı darbelere karşı hassasiyeti de arttıracağından iyi bir yöntem değildir. -D K diyodu çalışma ilkesi olarak gerekli değildir. Ancak darbe süresi tM 'nin değişmezliğini önemli ölçüde, yaklaşık 10 faktörü kadar, düzeltir (Bak: Bölüm 6). Her MV'ün bir tetikleme devresi vardır. Bu Şekil 2'de negatif darbeler için verilmiştir.

Vl£ r

Şekli Z. Biri açıkken, diğeri kapalı olan aynı yönlü transistörlerle yapılan monostabil multivibratörün temel devresi. DK dlyodn darbe süresi t.vı 'nin değişmezliğini düzeltir. Kesikli çizgiyle verilen elemanlar (diğer bazı düzeltmeleri getirirler.

3. 1. Çalışması, zaman diyagramı (Şekil 3) :

Darbe süresi tM ve geri dolma süresi t temelde Şekil l'de gösterildiği gibidir. Farklar şöyledir : CT,RTJ>T, girişli tetikleme devresiyle tM süresinde E girişine gelen tetikleme darbeleri t M darbe süresini etkileyemezler. RT direnci DT dlyodunu, UCE « Ub olacak gekilde T2'nin toplayıcı gerilimiyle kesime götürür. Ancak t M süresi sonunda artık U CE < 0,3 V olduğundan, D T yeniden iletime geçer ve C T dolabilir .UCE2 'nin negatif (geri) düşüşü geri beslemeyle önemli ölçüde dikleşmiştir. CM 'nin yenUenme süresi tR kendiliğinden t,,'nin bitiminde başlar, t esnasında giriş tetikleme darbeleri gelirse, darbe

"• süresi t bu kez kısalır (Bak: Bölüm 4.3.).

C 'ye paralel bir kondansatörle D T diyodunun kesimi t süresi esnasında daha uzunca sağlanabilirse de, t . esnasında dik tetikleme darbelerinin gelmesi durumunda E girişinden A çıkışına atlama tehlikesi belirir.

3. 2. Devrenin ekleri : Şekil 2'de kesikli çizgiyle verilen ekler, temel devrenin bazı olumsuz yanlarını gidermekte, U çıkış geriliminin pozitif yükselişinin daha dik olması ve \, \ çıkışlarının yüklenilebilirlıklerinln daha da artırılabilmesi elde edilmektedir. Temel devrede U 'in pozitif çıkışı, geri dolma akımının R 'de meydana getirdiği gerilim düşümü yüzünden yavaş olur (e-fonksiyonu) . A,

fi mrrrnj"

yani Si düzlemsel transistörlerinin genel U kesini gerilimlerinden büyük olabilir. Çözüm olarak DS korunma dlyodu ve R direnci konulur.

^r^

"CE2

' *B1**C2

"«1 i/b

"CER1 i

4. TEMEL DEVREDE DEĞERLERİN EN KÖTÜ KOŞULLARA GÖRE BELiRLENMESi

En kötü koşullara göre belirleme için elemanların, çalıgma akım ve gerilimlerinin en uygun olmayan sapma değerleri kabul edilmelidir. Ancak ICBO kesim akımları gözönüne alınmıyacak-tır. Bugünkü Si düzlemsel transistörlerde sınır halleri (çok küçük çalışma akımları, yüksek ısı) dıgında bunların etkileri yoktur. Agagıdakl sonuçlar diğer multi"ibratör ve basit anahtarlama katlarının statik tayini için de geçerlidir.

<M

4. 1. Darbe suaresi (monoflop suresi)

Şekli 3. Şekil 2Meki temel devreye göre zaman diyagramı. Gerillm-zaman değişimleri biraz ideallze edilmişlerdir. Uygulamada sonlu çıkış diklikleri ve geçişlerde bUkUlmeler vardır.

Diyagram Şekil l (geri beslemesiz) için de, UE 'nin kesikli çizgiyle gösterilen durumu için geçerlidir.

anlamıyla geri dolamaz; Cx değil, sadece U ile

pozitif), CM tam

d)

T Bz=RM .C M

Doğru değer genellikle elemanların toleransları dolayısıyla ayarlanmalıdır. (RB2 ile yapılması daha uygundur.) Daha doğru olan bir egitlik (11) ilk tasarımda belirlenen değerin yeniden hesaplanması için kullanılır. CM geniş, bir alao içinde ^ InF — l^Ftuyp) serbestçe seçilebilir. RBz statik koşullarla belirlenir ve ilk önce hesaplanmalıdır.

çıkışı OV'a

yüklenirse (I

•M 'nin l tarafı Ufa'ye

'e kadar gelir. Bunun önüne

ve D

AI

silir. A^ çıkığında aynı tedbirin alınmasıyla MV'ün çalışmasının,

özellikle kapaaltif yüklenmelerle bozulması

önlenir. Temel devrede böylelikle tetıkleme

darbesinin sönmesinden sonra yeniden kararlı

konuma dönülür. A, ve Aj çıkışlarındaki etkin

iç direnç T , T2 transistörlerinin kesimi halinde yüksek direnç' 11 gözükür (RA] veya R>A2 ), aynı durum iletim deki transistörlerm pozitif yük

akımları I için de geçerlidir. Negatif yük

akımları içinse" direnç küçülmüş olur. (DA) diyotlannuı iletim direnci + toplayıcı - yayıcı '

direnci) . Tranststör-lerd e çık ış , g e r il i ml e r i

U = U +U>OV

.

_,

Aı,2

CER T d '

tur. Sı diy otlarla bu yaklaşık 0,9 V olur.

UAı,2 =«°-4V'a dügülebümesi için DA için Ge

diy odlar kullanılmalıdır.

'Z

A,, A^'deki yüklerle MV arasındaki dekuplaj tedbirleri olarak; yayıcu takipçi katı, tamamlayıcı çevirme (inverter) katları ve [l] 'de anlatılan «collector-clamping» yollan kullanılabilir.

tM'ln baalanglcında Ta'de U bir — Ub+0,7 V'luk kesim gerilimi olduğuna dikkat edilmelidir. Ub ->

5V (artl toleransları!) ile U >~ 5V

4. 2. Taban direnci RBz :

Temel koşul : Kararlı konumda (bekleme hail)

T2 kesinlikle doyuma gitmiş, yani U _< 0,3 V

olmalıdır. Böylelikle T, kesinlikle kesim "halinde

olur, aksi halde MV kararsızlaşır. Ayrıca çalışmadaki emniyetin artması da elde edilir R

Bz

minimum sükûnet akımı I

'u belirler. Bu

02 mîn

ise en büyük toplayıcı akımı C2max !„ ___________________________ 'la belirlen

miştir.

C2 m»x

U. b max

+ I. •Camin

(2)

yük akımı bekleme süresi sırasında -T

C

açık- bağlanan yükle belirlenir. Yük kapasitif

ise ilk açış akımı gözönüne alınmalıdır. Sayısal

örnek için I

5mA alalım.

A 2 Ola

Değerlerin belirlenmesinde gözönüne alınacak noktalar: R^ , IM esnasında (T2 kapalı) A2'ye bağlı yük için kaynak direncidir. Ayrıca R , RB, Ue seri °larak IM esnasında (T, açık), T için taban akımını verir. Burada çıkış darbesinin genliği A^'de (yüksüz durum) yaklaşık RB ı' RB ı+RC ile belirlenir.

Dolayısıyla R alçak dirençli, 0,5 - civarlarında olmalıdır. Sayısal örnek için RC =lkj}±%5 seçilsin. Kaynak geriliminin serbestçe seçilebilmesi halinde, Ub'nln yüksek değerleri için (Ub>ÖV), darbe süresi tM 'nin değişmezliği düzeltilmiş olur, ancak Bölüm 3.2.'de açıklandığı gibi Tj'nin taban-yayıcı kesim geriliminin aşılmış olması olumsuz bir durumdur. Sayısal örnek için Ub,nm = 4'5V'Ubmax = 6,5 V alalım. T2'nin ge-rekli en büyük akımı için

=m .1 /B

(3)

x 2 C2m»x 2mln

Burada m dağılım faktörüdür, ortalama değeri 5-10 arasındadır. Büyük dağılım faktörü statik emniyeti ve arızalanma duyarlılığını düzeltmekle beraber (örneğin Ub'nin gerilim düğümleri için), anahtarlarım sürelerinin, özellikle translstörlerin depolama zamanlarının uzunluğu olumsuzluğunu da beraberinde getirir. Sayısal örnek için nu=5 alınsın. (3) egitllğinde B,^, T2'nin doğru akım kazancı için en düşük dağılım değeridir. BC 107 B transistoru için karakteristik formlarından B2min = 200' rc = 10 mA> 25° c teln bulunur. IB2 ve IC2 aynı kaynak gerilimi ile belirlendiklerinden, Ubm|n veya Ubmmx 'tan hangisinin kullanılacağı pek açık değildir. Dolayısıyla

(4)

ve (2) ve (3) eşltlikleriyle

2_ m B

U —U

binin

BE2 max

Bimin

bmın

A2max

(5)

U-,_ için orta ısı ve akımlarda (!„ »0,1—lOmA)

B&i

Kt

Si transistörlerde 0,6 - 0,8 V arası bir dağılım bölgesi alınabilir.

(5) eşitliğine uygun değerler konursa, RD .

1İ2IB-IQ için 15,2 kjj'luk bir değer bulunur ve standart değer olarak 15 Hfj alınır.

Genel yuvarlak bir hesaplama için aşağıdaki yaklaşık formül kullanılır :

• Rc

B RB2=(0,4....0,8) — (6)

R , D diyot-direnç bağlantısı durumunda T2

A2 A2

ayrıca U. /RA akımı ile de yüklenir.

D

AZ

4. 3. Geri dolma veya yenilenme suresi tR :

, , 'nin bitiminden sonra, G, takip eden

MM yeni bir dartıe süresi tM için geri dolar ' Belirleme işlemi için :

(7)

eşitliği kullanılır.

AUC *«Ub—Uc (t), kondansatör gerilimi Uc 'nin

U. son değerinden saptığı değerdir. "!"„ n* R^ C

o

K

Ol M

geri dolma zaman sabitesidir. Teorik olarak t

R.

geri dolma süresi AU- = O için sonsuzdur, uygulamada AU /Ub = % 0,5'lik bir sapma için ge-1

(1) ve (7)'den geri dolma süresi t /darbe sûresi t

M dolmanın genellikle bitmig olduğu kabul

edilir, »'den geri do oranı içip :

^ c' .1.45.1n(U /AUC)

(8)

RB2

AUc/Ub = %0,5 için yaklaşık formül olara*

'8-Rc,'RB2

(9)

elde edilir. R belirlenmiş olduğundan, RQı

nin belirlenmesi gereklidir.

4. 4. B toplayıcı dirend :

Değer belirlemesi için göz önüne alınacak noktalar :

Temel devrede (tamamlayıcı elemanlar olmaksızın), bir I AI akımı T '*in toplayıcı potanslyelini değiştireceğinden, A, çıkışı yüklenemez.

CM'in l tarafı Ub'de değU, Ub± RC) .IA potansiyelinde olur ki, tou durumda U ve dolayısıy-

G

la t . , de değişir. R ,D tamamlaması ile,

artık R önemli ölçüde yalnız basına geri

dolma süresi t „ 'yi belirler (Bak: Bölüm 4.3.).

t için kabul edilebilir süre devrenin programına, yani tetikleme darbelerinin en büyük takip frekansına bağlıdır. Genellikle R c = RC

alınır. Bu örnekte R^ = Ikjj olsun. t., esnasın-

G1

da (T. açık) R^ , D., kompensasyon diyodunu

Cl

K.

düşük dirence geçirmeye yeterli bir akım sağlar.

(9) egitliğiveRB2= 15 kfl ile ancak tR/tMRaO,5 olur. Aynı yönde transistörlerle temel devre için tR /tM = 0,2'den daha küçük değerlere genellikle erlşilenıez. özellikle statik kogul-lar bu hareket bölgesini sınırlarlar. örneğin Rc, çok küçük alınırsa tM esnasındaki akım sarfı UB /Rc ı Sok artar.

4. 5. OM zaman kondansatörü : (1) eşitliğinden (10) bulunur. Sayısal örnek: tM =» lOmsiçin, RB2'= 15 kj} olması durumunda C M = 0,098^51 bulunur. CM = O.ljuF ± % 2 seçilsin, örneğin tam değere ayar için RBz bir dirence ve bir trim - potansiyometreye bölünür. Çok doğru hesaplamalar (11) eşitliği ile mümkündür.

5. EŞLENİK (KOMPLEMENTER) TRANSlSTÖBLÜ TEMEL DEVRE Bu devre (Şekil 4) temelde, aynı yönlü transistörlüde olduğu gibi çalışır. Temel fark transistörlerinin de aynı anda ile timde (bekleme süresi esnasında) ve aynı anda kesimde (tM esnasında) olmasındadır.

Şekil 4. Her ikisi de aym zamanda açık veya kapalı olan eşlenik transistörlerle yapılan nıonostabli multivibratörün temel devresi. Rv zaman belirleyen dirençtir.

Faydaları : a. CM zaman kondansatörü transistörlerin al çak dirençli yayıcı -taban ve toplayıcı- yayıcı geçitleri üzerinden çok çabuk yeniden dolar. Böylece geri dolma süresi tR daha kısalır. b. Dolayısıyla 1/1000'e kadar varabilen önemli ölçüde küçük tR/tM oranları elde edilebilir. Bu frekans bölücü olarak [1] çalışma için özel likle önemlidir.

c. Düşük güç sarfı.

d. T2 transistoru için m dağılım faktörü bü yük zaman direnci (i-akrlben l M^'a kadar) du rumunda basit devre ekleriyle [1] çok büyük olabilir. Böylelikle, elektrolitik kondansatörler yerine değişmezliği düzelten folye kondansatörleriyle uzun tM darbe süreleri gerçekleştirile bilirler.

6. DARBE SÜRESİNİN DEĞİŞMEZLİĞİ

Darbe süresi tM 'nin değişmezliği üzerine olan en önemli etkenler daha doğru olan formülden görülmektedir. Bu formülün doğrudan çıkartılmasına gereksinmeden, iyi bir yaklaşımla [1], [6]

tIM=>*Tı .'"(^)

B2( M)

/0 \—U U \

BE

2 Ub

Z

\

~

)

D CER1 1

2UJ

(11) bulunur. Burada :

TM = (RBZ + rd + rCEı) • CM = RM . CM

Zaman sabitesi,

UB£2 ( tM ) t= tM sonunda T2'nin taban gerilimi UBEz(0_)c=tM 'nin başlangıcında T2'nin

'nin taban - yayıcı gerilimi,

UD = Kompansasyon diyodu DK 'nin iletim gerilimi ÜÇERİ = Tı'm toplayıcı - yayıcı artık gerilimidir. TM zaman sabitesindeki değişimler tamamen tM 'de görülmektedir. A t M/tM . A TM/TM. TMıçinde RM ve CM'nin tüm değişebilirliklert vardır. Isı, nem ve eskime etkileri gibi. Doğruluğun önemli olduğu haller için metal tabaka, metal film ve tel dirençler gereklidir. CM de zaman, ve frekans tayin edici devrelerde, örneğin LC-RCosilatöılerinde gözönüne alınan noktalara göre seçilmelidir. (11)'deki 2. ve 3. toplamlar Ub batarya geriliminin değişiminin UBE2 'nin [5] ve UCER, artık geriliminin etkilerini göstermektedir. DK diyodunun faydası görülmektedir. Isı katsayısı ancak A«UBE olarak görülmektedir. Böylelikle ısı etkisi yaklaşık onda birine kadar azaltılabilmektedir. Ayrıca çalışma geriliminin yavaş} değişimlerinin etkisi de 10 faktörü kadar küçülmektedir.

Koruma diyodu DS 'nin (Şekil 2) konması durumunda bu düzeltmeler ortadan kalkmaktadır. Bunun önlenmedi için ikinci bir ek D K diyodu konulmalıdır.

7. İŞLEM YÜKSELTEÇLI MV

7. 1. Çalışması :

Şekil 5'de bu devre verilmiştir. Kararlı konumda çıkış gerilimi UA+ pozitif doyum veya aşırı

iletim sınırındadır ve Rj- »R, için U1 = UA+ -R1

/(R1

+

R 2

)'dir-

Negatif

bir

tetik

leme

darbesi

ile çıkış gerilimi karşıt doyum

gerilimi UA_'ye dönüşür. Zaman kondansatörü CMbaşlangıç değeri UG (0) = Ud (Dc 'nin iletim gerilimin) den Uc{°o) = UA_ 'ye yüklenir. Uc, UA_. R, / ( R, -»- R2 ) değerine erişince, çıkış gerilimi yeniden UA+ 'ya dönügür. CM tekrardan UA+ "ya doğru yüklenir, ancak bu UG = Ud ' de kesilir ve böylelikle devre bu konumda (kararlı) kalır.

8. SAYISAL DEVRELERLE MV

Böyle bir MV [4], Bölüm 3, Şekil 2\iekl temel devre ilkelerine göre çalışır. Sayasal teknik sembolleriyle Şekil 6'da görülmektedir ve MV'e ek olarak bazı katları vardır, îki girigli teükileme devresi Gl bir VE-DEĞÎL. (NAND) geçididir. Buna, darbeler (edge-triggered) yerine, doğru gerilimle (threshold-triggered) kumanda edilir. Darbe süresi tM, l ve 2 girişlerinden birinde mantıksal «O»- durumu olduğu zaman başlar (Tetikleme sının 1,5V).

Çevirici

Şekil 5. Bir işlem yttkselteci ile yapılan bir nwnostabil multivibratör.

7. 2. Darbe süresi tu : M

Astabil multivibratCr çalışmasında [6] elde edilmiş olan genel geçerli zaman eşitliğine yan koşulların uygulanmasıyla elde edilir.

Uc(0) = Ud. UeCoo)» UA. ve U0(tM) =UA..R1/(R, + R2)

için bulunan darbe süresi formülü

•>•-*••'°Pe-^) «»

olur. Burada zaman sabitesiTM = R3. CM 'dlr.

RlC=R8veUA.»Ud için

ltM=TM.ln2

(13)

olur.

7. 3. Geri dolma suresi:

Burada tM için yapılan hesaplama yolu, değişik yan koşullarda geçerlidir. Bunlar

veUc(tR)=Ud dlrler. Bunlarla

(14)

Zaman sabitesi yine TR=TM=R3.CM 'dlr.

Rlt=R8veUA_=-UA + ve Ud«UA+

Içta

tR=TM.Inv(l,5) olur.

(15)

(13-) ve (15) eşitliklerinden tR/tM ı= 0,59 olduğu görülür.

«"Al

Tetikleyicl

• Şekli 6. Sayısal elemanlarla yapılan bir monostabil multivibratörUn devresi.

D diyodu UE]ye U£2 'nin tM esnasında mantıksal «l» durumuna geri dönmeleri halinde darbe sürelerinin bozulmasını önler. MV, G2, G3 çeviricilerinden oluşmuştur. Bunlar Şekil 2'deki T,, T2 anahtarlama katlarının karşılıklarıdırlar. Geri besleme direnci RK = l KQ çoğunlukla elemanda vardır. CM ve RM sonradan bağlanırlar. Bilgi formuna göre t M = 0,65 . CM . RM dir. Tavsiye edilen değerler : CM^J.QQjjF ve RM = 5-20 ktf durlar. Yük ayrımı için G4 çeviricisi bağlanmıştır. Buna ülger bir çevirici (G5), karşıt çıkış işaretlerinin alınması için eklenir. Şekil 3'dekl temel devrede olduğu gibi, burada da süre koşullan vardır. tR /t M ^> 0,5 oranı için tM giriş eğrisinin biçiminden bağımsız olur.

KAYNAKLAR 1. Busse, G.: «Genauer monostabiler Multivib ratör 'mit Komplementaer-Transistoren». Radio-Mentor, Bd. 35 (1969), H.8.S. 545... 548. 2. Graichen, G. ve Braeutigam, D.: «Eine transistorierte Impulsformerstufe-Berechnung, Eigenschaften, Anıwendungen». Intern. Elektron. RunCichau, Bd. 22 (1968), H.2, S.31... 36. 3. Elektronik-Arbcıtsblatt Nr. 5: «Erprobte Multivibrator-Schaltungen>. Elektronik 1966, H. 6. 4. Datenblatt der Fa. Raytheon, «Monostabller Multivibratör RM 988 und RC 988». 5. Busse, G.: «Stimmt der TK der Basis-Emitter-Spannungen: 2mV/grd?», messen i+prüfen, Bd. 6 (1970), H.6, S. 461... 463. 6. Elektronik-Arbeitsblatt Nr. 60: «Der astabile Multivibratör». Elektronik 1971, H. 9-10.

Elektrik Münenüisli&l 192